[发明专利]数字隔离器及芯片

权利要求书

1.一种数字隔离器，其特征在于，包括：

调制发送模块，用于将接收到的输入信号转换为全差分信号；

隔离电容模块，与所述调制发送模块连接，用于传输所述全差分信号；

有源共模滤波模块，与所述隔离电容模块连接，用于过滤所述隔离电容模块传输所述全差分信号过程中的共模瞬态脉冲；

接收解调模块，与所述隔离电容模块连接，用于对过滤共模瞬态脉冲后的全差分信号进行解调并输出。

2.根据权利要求1所述的数字隔离器，其特征在于，所述有源共模滤波模块包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管以及第二PMOS管；

所述第一NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极连接，所述第一NMOS管的源极与所述第一PMOS管的源极连接并接地，所述第二NMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极连接并接地，所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极连接。

3.根据权利要求2所述的数字隔离器，其特征在于，所述隔离电容模块包括第一隔离电容和第二隔离电容；

所述第一NMOS管的漏极与所述第一隔离电容的负极连接，所述第一NMOS管的栅极与漏极连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第二隔离电容的负极连接；

所述第一PMOS管的漏极与所述第一隔离电容的负极连接，所述第一PMOS管的栅极与漏极连接，所述第二PMOS管的漏极与所述第二隔离电容的负极连接。

4.根据权利要求3所述的数字隔离器，其特征在于，在所述第一隔离电容和所述第二隔离电容输出的共模瞬态脉冲大于等于阈值电压时：

所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的栅端电压大于等于阈值电压，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管导通，所述共模瞬态脉冲传输到地；

所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的栅端电压的绝对值大于等于阈值电压，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管导通，所述共模瞬态脉冲传输到地。

5.根据权利要求3所述的数字隔离器，其特征在于，所述接收解调模块包括前置放大器模块，所述前置放大器模块包括第一采样电阻和第二采样电阻；

所述第一PMOS管的漏极和栅极与所述第一采样电阻的正端连接，所述第二PMOS管的漏极与所述第二采样电阻的正端连接，所述第一采样电阻的负端和所述第二采样电阻的负端接地。

6.根据权利要求5所述的数字隔离器，其特征在于，在无共模瞬态脉冲或所述第一隔离电容和所述第二隔离电容输出的共模瞬态脉冲小于阈值电压时：

所述第一采样电阻的正端电压和所述第二采样电阻的正端电压均小于所述第一NMOS管、所述第二NMOS管、所述第一PMOS管以及所述第二PMOS管的阈值电压，所述第一NMOS管、所述第二NMOS管、所述第一PMOS管以及所述第二PMOS管处于截止状态。

7.根据权利要求1所述的数字隔离器，其特征在于，所述有源共模滤波模块包括：第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管以及第五PMOS管；

所述第三NMOS管的栅极与所述第四NMOS管的栅极以及所述第五NMOS管的源极连接，所述第三NMOS管的漏极与所述第五NMOS管的栅极连接，所述第五NMOS管的漏极连接到第一电源端；

所述第三NMOS管的源极与所述第三PMOS管的源极连接并接地，所述第四NMOS管的源极与所述第四PMOS管的源极连接并接地；

所述第三PMOS管的栅极与所述第四PMOS管的栅极以及所述第五PMOS管的源极连接，所述第三PMOS管的漏极与所述第五PMOS管的栅极连接，所述第五PMOS管的漏极连接到第二电源端。