[发明专利]一种高塑性原位网状TiC增强钛基复合材料及其制备方法在审
申请号: | 202111176433.9 | 申请日: | 2021-10-09 |
公开(公告)号: | CN114075632A | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 肖志瑜;杜康鸿;杨晓辉;温利平 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | C22C1/05 | 分类号: | C22C1/05;C22C14/00;C22C32/00;B22F3/14 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 蔡克永 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 塑性 原位 网状 tic 增强 复合材料 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种高塑性原位网状TiC增强钛基复合材料及其制备方法;其制备步骤为:先将金属碳化物粉末、球形TC4合金粉末、不锈钢球装入密闭容器中,向容器充入保护气体后机械混合,得到金属碳化物/钛合金混合粉末;再将混合粉末进行热压烧结,烧结完成后随炉冷却至室温。本发明首次采用金属碳化物VC作为碳源来制备原位网状TiC增强TC4复合材料。制备的TiC增强钛基复合材料中,TiC呈非均匀的准连续网状分布分布,基体未被割裂,其塑性得到很好的发挥,同时,基体组织较TC4合金大幅细化,材料强度也较TC4合金大幅提高。本发明制备的网状TiC增强TC4复合材料,TiC呈网状分布,基体组织细小,抗拉强度1058~1097MPa,延伸率19.3~20.3%,远高于均匀分布的TiC增强TC4复合材料。
技术领域
本发明涉及金属基复合材料材料的粉末冶金技术领域,尤其涉及一种高塑性原位网状TiC增强钛基复合材料及其制备方法。
背景技术
钛合金具有高强度、低密度和优异的抗腐蚀性,广泛应用于航空航天、生物医学及化工机械等领域。在钛及钛合金中引入陶瓷增强相形成不连续增强钛基复合材料,能有效改善基体组织,提高材料的强度、硬度与耐磨性,进一步拓宽其应用领域。然而,复合材料强度提升的同时,塑性会显著下降。根据Hashin-Shtrikman(H-S)理论中性能上限对应的硬相包围软相结构,使增强相呈三维网状分布,有效解决钛基复合材料塑性差的问题。
DRTMCs中增强相的引入方式有外加法和原位生成法,原位DRTMCs中的增强相和基体具有更好的界面结合。其中原位TiC被广泛认为是钛基复合材料最优的增强体之一,碳源主要来自石墨粉、烃类气体(CH4)、纳米碳材料(石墨烯、碳纳米管、纳米金刚石)。
在网状原位TiC增强钛基复合材料方面,Huang等采用石墨做碳源,热压烧结制备了网状结构5vol.%TiC/TC4复合材料,但是由于基体完全被TiC墙割断连接,表现出较低的塑性。Zhang等分别采用纳米金刚石与石墨烯做碳源,SPS制备了混杂增强网状结构钛基复合材料,材料强度提升的同时维持较好的塑性。Lu等通过SPS制备的GNPs/Ti复合材料抗拉强度由基体的647.96MPA提升至820.97MPa,而塑性仅仅从24.4%降至21.5%。
采用金属碳化物作为碳源,既可以原位生成TiC,金属原物又可以起到固溶强化的作用。然而,目前还未有通过金属碳化物作为碳源,制备网状TiC/TC4复合材料。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点和不足,提供一种高塑性原位网状TiC增强钛基复合材料及其制备方法。本发明制备的金属碳化物作为碳源的原位TiC增强钛基复合材料,同时具有较高的强度和较好的塑性,满足工程中多样化的需求。
本发明首次采用金属碳化物VC作为碳源来制备原位网状TiC增强TC4复合材料。制备的TiC增强钛基复合材料中,TiC呈非均匀的准连续网状分布分布,基体未被割裂,其塑性得到很好的发挥,同时,基体组织较TC4合金大幅细化,材料强度也较TC4合金大幅提高。本发明制备的网状TiC增强TC4复合材料,TiC呈网状分布,基体组织细小,抗拉强度1058~1097MPa,延伸率19.3~20.3%,远高于均匀分布的TiC增强TC4复合材料。
本发明通过下述技术方案实现:
一种高塑性原位网状TiC增强钛基复合材料的制备方法,包括如下步骤:
步骤一:将金属碳化物粉末、TC4合金粉末、不锈钢球装入密闭容器中,向容器充入保护气体后机械混合,得到金属碳化物/钛合金混合粉末;
步骤二:将步骤一混合得到金属碳化物/钛合金混合粉末,装入石墨模具中,随后将石墨模具放入真空热压烧结炉中进行热压烧结,热压烧结完成后随炉冷却至室温。
步骤一中,金属碳化物粉末为Mo2C或VC粉末(颗粒呈无规则形状),平均颗粒尺寸0.8~2μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111176433.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。