[发明专利]一种存储器及其数据管理方法和计算机存储介质

说明书

本发明公开了一种存储器的数据管理方法、装置及存储介质，包括步骤：预设全局信息区、文件信息区和数据区；所述全局信息区包括文件信息分配表和块分配表；所述文件信息区包括块索引表；所述数据区用于存储信息；接收非易失存储器的操作指令；通过所述文件信息分配表、所述块分配表和所述块索引表对所述数据区内的所述块进行序列化写入和/或随机读取。本发明通过所述文件信息分配表、所述块分配表和所述块索引表对所述数据区内的所述块进行序列化写入和/或随机读取。在随机读取文件时，可以根据读取的文件位置，换算出读取文件所在的块和页，然后读取对应的数据。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，特别是涉及一种存储器、存储器的数据管理方法及存储介质。

背景技术

Nand flash存储器是现在市场上主要的非易失闪存技术之一。1989年东芝公司发明了Nand flash内存结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。Nand flash存储器的结构能提高极高的单元密度，可以达到高存储密度，可以做到Gbit级别，并且写入和擦除的速度也很快，同时具有成本上的优势。

但Nand flash存储器只能进行块(即Block)擦除，按页(即)读写，每个块有坏块风险。如果需要支持随机读写更新数据，即读-修改-写方式更新数据，那么读时需要缓存整个块，在MCU等低内存的环境下不能适用。在现有技术中使用非易失存储器(NAND flash存储器)存储数据常见有两种方式，一种是直接访问，即直接读写Nand flash存储器，用户自己管理读写的数据；另一种是使用文件管理系统进行访问，例如使用FatFS读写Nand flash存储器。

然而上述一种方式中，用户需要自己管理读写的数据，需要做好坏块管理，且在执行复杂文件操作(增删改查)时，这种方式操作繁琐，容易出错，使用不够便捷。

在上述第二种方式中，FatFs的功能强大，但是要求底层操作接口支持随机读写能力。由于Nand flash存储器只支持块擦除，页读写，同时Nand flash存储器的块都很大，可达到128K,远超MCU等几十K的内存环境，因此现有的Nand flash存储器无法支持随机读写，或者说无法支持读-修改-写的操作方式。

发明内容

为此，需要提供一种存储器的数据管理方法，用于解决现有Nand flash存储器的块的容量较大，无法支持随机读写的技术问题。

为实现上述目的，发明人提供了一种存储器的数据管理方法，包括步骤：

预设全局信息区、文件信息区和数据区；所述全局信息区包括文件信息分配表和块分配表；所述文件信息区包括块索引表；所述数据区用于存储信息，所述数据区包括多个块，每个块包含多个页；所述块索引表用于记录文件信息使用的块索引号；所述文件信息分配表用于记录文件信息使用的块索引号，所述块分配表用于记录各所述块是否被使用；

接收Nand flash存储器的操作指令；

通过所述文件信息分配表、所述块分配表和所述块索引表对所述数据区内的所述块进行序列化写入和/或随机读取。

进一步的，所述操作指令包括打开文件指令；

所述通过所述文件信息分配表、所述块分配表和所述块索引表对所述数据区内的所述块进行序列化写入和/或随机读取，包括步骤：

根据文件信息分配表判断所述打开文件指令所要打开的是否是新建文件；

若是，则在所述文件信息分配表中查找空闲的文件信息区并标记为使用中，以及返回所述新建文件的文件描述符；

若否，则根据所述打开文件指令查找所述文件信息分配表，以及返回查找到的文件描述符。

进一步的，所述操作指令包括文件写入指令；