[发明专利]显示设备在审
申请号: | 202111170195.0 | 申请日: | 2021-10-08 |
公开(公告)号: | CN114388576A | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 全容济;吴在泳;金起弘;李诚又;赵庚湜 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;冯志云 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
一种显示设备,包括:基底,包括主显示区域、组件区域和外围区域;多个主像素电极,在基底的主显示区域中;多个辅助像素电极,在基底的组件区域中;辅助相对电极,在辅助像素电极上面,与辅助像素电极重叠,且包括在辅助像素电极之间的多个开口;以及屏蔽层,在辅助像素电极下方并且包括分别与辅助相对电极的多个开口重叠的多个开口部分。
本申请要求于2020年10月5日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0128271号韩国专利申请的优先权和权益,上述韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或多个实施例的各方面涉及一种显示设备。
背景技术
显示设备包括显示元件和配置为控制施加到显示元件的电信号的电子元件。电子元件通常包括晶体管(例如,薄膜晶体管)、存储电容器和多条布线。
近来,显示设备的用途已经变得更加多样化。此外,随着显示设备已经变得较薄以及较轻,它们的使用范围已经逐渐扩大。随着显示设备的使用范围已经变得更加多样化,关于显示设备的形状的设计,已经研究了各种方法。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对背景技术的理解,并且因此,本背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
发明内容
一个或多个实施例的各方面涉及一种显示设备,并且,例如,涉及一种可以在组件区域中显示图像并且被容易地制造的显示设备。
在根据相关技术的显示设备中,可能难以制造可以在组件区域中显示图像的显示设备。
一个或多个实施例的各方面包括一种可以在组件区域中显示图像并且被相对容易地制造的显示设备。然而,这样的技术问题是示例,并且根据本公开的实施例不限于此。
附加方面将在下面的描述中部分地阐述,并且附加方面根据描述将部分地是明显的,或者可以通过实践本公开的提出的实施例来获知附加方面。
根据一个或多个实施例,一种显示设备包括:基底,包括主显示区域、组件区域和外围区域;主像素电极,在基底的主显示区域中;辅助像素电极,在基底的组件区域中;辅助相对电极,在辅助像素电极上面,与辅助像素电极重叠,且包括在辅助像素电极之间的开口;以及屏蔽层,在辅助像素电极下方并且包括与辅助相对电极的开口重叠的开口部分。
根据一些实施例,显示设备还可以包括:主相对电极,在主像素电极上面并且与主像素电极重叠。
根据一些实施例,主相对电极可以连接到辅助相对电极。
根据一些实施例,辅助相对电极可以包括重叠部分和连接件,重叠部分与辅助像素电极重叠,并且连接件连接重叠部分。
根据一些实施例,当从垂直于基底的顶表面的方向观察时,连接件可以具有弯曲形状。
根据一些实施例,屏蔽层的材料的熔点可以高于辅助相对电极的材料的熔点。
根据一些实施例,屏蔽层的面积可以等于或大于辅助相对电极的面积。
根据一些实施例,当从垂直于基底的顶表面的方向观察时,开口部分中的每一个可以布置在开口之中的对应开口的边缘内部。
根据一些实施例,显示设备还可以包括:主薄膜晶体管,在基底的主显示区域中,电连接到主像素电极,并且包括主半导体层和主栅极电极,其中,屏蔽层和主栅极电极在相同的层上。
根据一些实施例,屏蔽层和主栅极电极包括相同的材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的