[发明专利]显示设备在审
申请号: | 202111170195.0 | 申请日: | 2021-10-08 |
公开(公告)号: | CN114388576A | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 全容济;吴在泳;金起弘;李诚又;赵庚湜 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;冯志云 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.一种显示设备,其中,所述显示设备包括:
基底,包括主显示区域、组件区域和外围区域;
多个主像素电极,在所述基底的所述主显示区域中;
多个辅助像素电极,在所述基底的所述组件区域中;
辅助相对电极,在所述辅助像素电极上面,与所述辅助像素电极重叠,且包括在所述辅助像素电极之间的多个开口;以及
屏蔽层,在所述辅助像素电极下方并且包括分别与所述辅助相对电极的所述多个开口重叠的多个开口部分。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括:
主相对电极,在所述主像素电极上面并且与所述主像素电极重叠。
3.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述主相对电极连接到所述辅助相对电极。
4.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述辅助相对电极包括多个重叠部分和连接件,所述重叠部分与所述辅助像素电极重叠,并且所述连接件连接所述重叠部分。
5.根据权利要求4所述的显示设备,其中,在平面图中,所述连接件具有弯曲形状。
6.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述屏蔽层的熔点高于所述辅助相对电极的熔点。
7.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述屏蔽层的面积等于或大于所述辅助相对电极的面积。
8.根据权利要求1所述的显示设备,其中,在平面图中,所述开口部分中的每一个在所述开口之中的对应开口的边缘内部。
9.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括:
主薄膜晶体管,在所述基底的所述主显示区域中,电连接到所述主像素电极,并且包括主半导体层和主栅极电极,
其中,所述屏蔽层和所述主栅极电极在相同的层上。
10.根据权利要求9所述的显示设备,其中,所述屏蔽层和所述主栅极电极包括相同的材料。
11.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括:
主薄膜晶体管,在所述基底的所述主显示区域中,电连接到所述主像素电极,并且包括主半导体层和主栅极电极;和
布线,在所述主栅极电极与所述主像素电极之间,
其中,所述屏蔽层和所述布线在相同的层上。
12.根据权利要求11所述的显示设备,其中,所述屏蔽层和所述布线包括相同的材料。
13.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括:
主薄膜晶体管,在所述基底的所述主显示区域中,电连接到所述主像素电极,并且包括主半导体层和主栅极电极;和
底部金属层,在所述主半导体层下方,
其中,所述屏蔽层和所述底部金属层在相同的层上。
14.根据权利要求13所述的显示设备,其中,所述屏蔽层和所述底部金属层包括相同的材料。
15.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述显示设备还包括:
主薄膜晶体管,在所述基底的所述主显示区域中,电连接到所述主像素电极,并且包括主半导体层和主栅极电极;
辅助薄膜晶体管,在所述基底的所述外围区域中并且包括辅助半导体层和辅助栅极电极;以及
连接布线,将所述辅助薄膜晶体管电连接到所述辅助像素电极。
16.根据权利要求15所述的显示设备,其中,所述辅助相对电极包括多个重叠部分和连接件,所述重叠部分与所述辅助像素电极重叠,并且所述连接件连接所述重叠部分,并且
所述连接件与所述连接布线重叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的