[发明专利]一种集成光感应器的显示装置及制备工艺

说明书

本发明公开了一种集成光感应器的显示装置及制备工艺，所述显示装置包括TFT阵列基板，所述TFT阵列基板包括显示区和非显示区，在非显示区集成光感应器，所述光感应器包括正极、负极以及位于正极和负极之间的PIN型或NIP型太阳能电池结构。本发明利用TFT阵列基板制备时已经存在的源极漏极的金属层，有源层，透明像素电极或公共电极层，在制备光感应器时，在金属层上增加PIN层，形成一个PIN型的太阳能电池结构，在不同的环境光照强度下，产生不同数量的载流子，从而可以根据光感应器的电压、电流值的大小来调节背光源亮度，大大节省了显示装置的成本，降低了显示装置的厚度，提高了可靠性。

技术领域

本发明属于液晶显示技术领域，具体涉及一种集成光感应器的显示装置及制备工艺。

背景技术

LCD液晶显示器本身不能发光，需要背光提供背光源来达到显示图像的目的，液晶显示 器使用过程中，由于外界环境光随着所处环境的不同而不同，导致显示屏需要进行一定的亮 度调节，改善用户体验，让显示屏亮度根据环境光条件自行调整到最佳状态，在高强环境光 下，需要提高背光亮度，来提高显示屏亮度而看清楚显示内容，光线暗的时候，需要降低背 光亮度提高用眼舒适度；同时背光照明的耗电量是显示屏中的最主要耗电量，实行动态的背 光亮度控制，可大量节省显示屏电量损耗。

目前市场上液晶显示产品一把都是在液晶显示屏上额外增加光感应器模组，通过贴合的 方式，集成到显示模组中，这会导致器件厚度增加,同时增加生产工艺及产品成本，如果将 光感应器利用现有工艺制作在显示屏上，将会改善器件厚度，降低产品成本。

发明内容

本发明需要解决的技术问题是提供一种集成光感应器的显示装置及制备工艺，该显示装 置将光感应器集成在显示屏上，器件厚度变薄，工艺简化，降低了产品成本。

为解决上述问题，本发明所采取的技术方案是：

一种集成光感应器的显示装置，所述显示装置包括TFT阵列基板，所述TFT阵列基板包 括显示区和非显示区，在非显示区集成光感应器，所述光感应器包括正极、负极以及位于正 极和负极之间的PIN型或NIP型太阳能电池结构。

进一步的，所述光感应器的正极和负极与TFT阵列基板显示区的金属层或像素电极或公 共电极在同一制程下沉积蚀刻。

进一步的，所述光感应器的PIN型太阳能电池结构由p层、i层以及n层构成，其中n层与TFT阵列基板显示区晶体管的欧姆接触层n+a-Si位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻。

进一步的，所述光感应器的i层与TFT阵列基板显示区晶体管的有源层a-Si位于同一 层，在同一制程下沉积蚀刻。

进一步的，所述光感应器的正极或负极与TFT阵列基板显示区晶体管的源漏极金属层位 于同一层，在同一制程下沉积蚀刻，所述光感应器的正极或负极的走线保护层与TFT阵列基 板显示区晶体管的源漏极绝缘保护层位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻，所述光感应器的 负极或正极与TFT阵列基板显示区的透明像素电极或透明公共电极位于同一层，在同一制程 下沉积蚀刻。

进一步的，所述光感应器的正极与TFT阵列基板显示区晶体管的栅极金属层位于同一层， 在同一制程下沉积蚀刻，所述光感应器的正极的走线保护层与TFT阵列基板显示区晶体管的 栅极绝缘保护层位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻，所述光感应器的负极与TFT阵列基板 显示区的透明像素电极位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻。

进一步的，所述光感应器的负极及其走线的保护层与TFT阵列基板显示区晶体管的源漏 极绝缘保护层位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻。

进一步的，所述TFT阵列基板显示区上阵列OLED，所述光感应器的正极或负极与TFT 阵列基板显示区OLED的阳极位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻，所述光感应器的负极或正 极与TFT阵列基板显示区OLED的阴极位于同一层，在同一制程下沉积蚀刻。