[发明专利]氧化锌溶液及制备方法和量子点发光二极管

说明书

本申请公开了一种氧化锌溶液及制备方法和量子点发光二极管。溶液的制备方法包括：将碱溶于第一溶剂，加入阻聚剂，配置成第一前驱体溶液；将锌盐溶于第二溶剂，配置成第二前驱体溶液；将第一前驱体溶液加入第二前驱体溶液，得到反应产物；对反应产物进行提纯。将得到的溶液成膜后，在真空条件下去除溶剂，在氧气环境下加热，得到量子点发光二极管的电子传输层。利用该方法增加了电子传输层的导电性和稳定性，提升了量子点发光二极管的性能。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种氧化锌溶液及制备方法和量子点发光二极管。

背景技术

量子点具有量子限域效应，受激发后可以发射荧光。而且量子点具有独特的发光特性，例如激发峰宽，发射峰窄，发光光谱可调等性质，使得其在光电发光领域具有广阔的应用前景。量子点发光二极管(QLED，Quantum Dot Light Emitting Diodes)，就是将胶体量子点作为发光层的器件，在不同的导电材料之间引入发光层从而得到所需要波长的光。具有色域高、自发光、启动电压低、响应速度快等优点。基于以上特点，QLED可被用于手机、电脑、电视等各种显示装置中，具有广阔的发展前景。

氧化锌(ZnO)纳米颗粒溶液所制备的薄膜具有较宽的带隙和相对较高的电子迁移率与稳定性，因此半导体ZnO的薄膜是制备QLED电子传输层材料的最佳选择之一。QLED的ZnO电子传输层通常采用溶液法制备，为了保证其成膜质量，制备出具有良好分散性的ZnO纳米颗粒，对于提升QLED性能来说至关重要。

现有的ZnO纳米溶液一般采用2～5个碳的羧基或者胺基配体使ZnO纳米颗粒有一定的分散稳定性。但这些配体在ZnO纳米颗粒成膜后会残留在膜层中不易去除，导电性较差的配体也会降低ZnO膜层的导电性和稳定性，直接影响了QLED器件的性能。

发明内容

本申请提供一种氧化锌溶液及制备方法和量子点发光二极管，得到具有稳定性的溶液后，利用该溶液制备量子点发光二极管的电子传输层，增加了电子传输层的导电性和稳定性，提升了量子点发光二极管的性能。

本申请提供一种溶液的制备方法，包括：将碱溶于第一溶剂，加入阻聚剂，配置成第一前驱体溶液；将锌盐溶于第二溶剂，配置成第二前驱体溶液；将所述第一前驱体溶液加入所述第二前驱体溶液，得到反应产物。

可选的，在本申请的一些实施例中，制备方法还包括：对反应产物进行提纯。

可选的，在本申请的一些实施例中，提纯的步骤包括：将阻聚剂加入乙醇，得到阻聚剂醇溶剂；采用乙酸乙酯对反应产物进行沉淀并溶于所述阻聚剂醇溶剂；采用正己烷对反应产物进行沉淀并溶于所述阻聚剂醇溶剂。

可选的，在本申请的一些实施例中，阻聚剂为具有2～8个碳原子的有机分子。

可选的，在本申请的一些实施例中，阻聚剂具有至少一个给电子基团，给电子基团包括烷基、芳香基、羟基或氨基中的至少一种；给电子基团能与ZnO表面的缺陷配位。

可选的，在本申请的一些实施例中，阻聚剂包括被取代基取代或未被取代基取代的苯，取代基选自＝O、-OH、-CHO、-NH₂、-CH₂NH₂中的一种或多种。

可选的，在本申请的一些实施例中，阻聚剂包括对苯醌、对苯酚、对苯二甲醛、苯二胺或对苯二甲胺中的一种或多种。

可选的，在本申请的一些实施例中，在一个大气压时，阻聚剂的沸点可以为80～120℃，也可以为85～115℃，还可以为90～110℃。

可选的，在本申请的一些实施例中，以所述第一前驱体溶液和所述第二前驱体溶液的的总质量计，阻聚剂的质量百分比含量可以为0.1wt％～5wt％，也可以为1％～4％，还可以为2％～3％。

可选的，在本申请的一些实施例中，第一溶剂和/或第二溶剂包括乙醇或二甲基亚砜中的至少一种。