[发明专利]深紫外发光二极管外延片及其制造方法在审
| 申请号： | 202111160679.7 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN114093989A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 葛永晖;丁涛;郭炳磊;肖云飞;陆香花;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 深紫 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
1.一种深紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述深紫外发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的第一AlN层、第二AlN层、N型层、有源层、电子阻挡层、P型层和P型接触层；
所述第一AlN层的半径小于所述衬底的半径，所述第一AlN层是采用物理气相沉积法沉积得到的，所述第二AlN层是采用金属有机化合物化学气相沉淀法生长而成的。
2.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述第一AlN层的半径和所述衬底的半径之差为0.1～5mm。
3.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述第一AlN层的厚度小于所述第二AlN层的厚度。
4.根据权利要求3所述的深紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述第一AlN层的厚度为1～100nm。
5.根据权利要求3所述的深紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述第二AlN层的厚度为2～3um。
6.一种深紫外发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
采用物理气相沉积法在所述衬底上沉积第一AlN层；
对所述第一AlN层进行处理，使所述第一AlN层的半径小于所述衬底的半径；
采用金属有机化合物化学气相沉淀法在所述第一AlN层上生长第二AlN层；
在所述第二AlN层上依次生长N型层、有源层、电子阻挡层、P型层和P型接触层。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述对所述第一AlN层进行处理，包括：
采用光刻技术和蚀刻技术对第一AlN层进行处理，沿所述第一AlN层的周向去除所述第一AlN层的部分边缘区域，裸露出所述衬底表面。
8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第一AlN层的半径和所述衬底的半径之差为0.1～5mm。
9.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第一AlN层的生长温度小于所述第二AlN层的生长温度。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述第一AlN层的生长温度为500～700℃，所述第二AlN层的生长温度为1200～1400℃。
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