[发明专利]存储器、存储器控制方法和系统在审
申请号: | 202111160079.0 | 申请日: | 2021-09-30 |
公开(公告)号: | CN114141283A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 张君敬;陈立刚;刘江 | 申请(专利权)人: | 西安格易安创集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C7/12 | 分类号: | G11C7/12;G11C8/08;G11C16/34;G11C5/14 |
代理公司: | 北京展翼知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11452 | 代理人: | 张阳 |
地址: | 710065 陕西省西安市高新区天谷*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 控制 方法 系统 | ||
1.一种存储器,包括:
存储单元阵列;以及
存储单元阵列操作模块,所述操作模块包括:
读操作模块,响应于所述存储器接收到存储单元阵列读指令而被使能,并且用于对所述存储单元阵列进行读取操作;
编程操作模块,响应于所述存储器接收到存储单元阵列编程指令而被使能,并且用于对所述存储单元阵列进行编程操作;和
擦除操作模块,响应于所述存储器接收到存储单元阵列擦除指令而被使能,并且用于对所述存储单元阵列进行擦除操作。
2.如权利要求1所述的存储器,其中,
响应于所述读取操作执行完成禁用所述读操作模块,
响应于所述编程操作执行完成禁用所述编程操作模块,并且
响应于所述擦除操作执行完成禁用所述擦除操作模块。
3.如权利要求1所述的存储器,其中,所述读操作模块包括:
读电压泵,用于产生读操作中需要使用的电压;以及
读控制电路,用于对所述存储单元阵列的数据读取操作进行控制。
4.如权利要求3所述的存储器,其中,所述读控制电路包括:
读操作使能信号电路,用于对读操作中使用的电压进行使能控制。
5.如权利要求3所述的存储器,其中,所述读电压泵在擦除操作和/或编程操作的验证子操作中使能。
6.如权利要求1所述的存储器,其中,所述编程操作模块包括:
编程电压泵,用于产生编程操作中需要使用的电压;以及
编程控制电路,用于对所述存储单元阵列的数据编程操作进行控制。
7.如权利要求1所述的存储器,其中,所述擦除操作模块包括:
擦除电压泵,用于产生擦除操作中需要使用的电压;以及
擦除控制电路,用于对所述存储单元阵列的数据擦除操作进行控制。
8.如权利要求5所述的存储器,其中,所述编程电压泵在擦除操作的软编程子操作中使能。
9.如权利要求1所述的存储器,还包括:
电源管理器;以及
指令译码器,
其中,所述电源管理器能够在待机状态下为所述指令译码器供电,所述电源管理器响应于所述存储单元阵列读指令为读操作模块供电,所述电源管理器响应于所述存储单元阵列编程指令为编程操作模块供电,所述电源管理器响应于所述存储单元阵列擦除指令为擦除操作模块供电。
10.如权利要求9所述的存储器,其中,所述电源管理器用于:
响应于接收到低功耗状态指令,停止对所述指令译码器的供电,以进入低功耗状态;以及
响应于接收到芯片选通信号,恢复对所述指令译码器的供电,以返回所述待机状态。
11.一种存储器控制方法,包括:
在所述存储器接收到存储单元阵列读指令后使能存储单元阵列操作模块中的读操作模块,所述读操作模块对所述存储单元阵列进行读操作;
在所述存储器接收到存储单元阵列编程指令后使能所述存储单元阵列控制模块中的编程操作模块,所述编程操作模块对所述存储单元阵列进行编程操作;以及
在所述存储器接收到存储单元阵列擦除指令后使能所述存储单元阵列控制模块中的擦除操作模块,所述擦除操作模块对所述存储单元阵列进行擦除操作。
12.一种系统,包括:
主机控制器;
接口总线;以及
如权利要求1-10所述的存储器,其通过所述接口总线耦合至主机控制器。
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