[发明专利]基板处理方法和基板处理装置在审
| 申请号: | 202111159129.3 | 申请日: | 2021-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN114420551A | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
| 发明(设计)人: | 樱井宏纪;后藤大辅;绪方信博;桥本佑介;水口将辉;许彦瑞 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
1.一种基板处理方法,包括:
处理液喷出工序,向基板喷出处理液;
混合流体喷出工序,向被喷出有所述处理液的所述基板喷出将所述处理液与蒸汽状或雾状的纯水混合生成的混合流体。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,还包括:
液膜形成工序,向所述基板喷出冲洗液来在所述基板的表面形成冲洗液的液膜;以及
纯水喷出工序,向形成于所述基板的表面的冲洗液的液膜喷出蒸汽状或雾状的纯水,
所述处理液喷出工序在所述纯水喷出工序之后进行。
3.根据权利要求2所述的基板处理方法,其特征在于,
对形成有冲洗液的液膜的所述基板的表面进行所述处理液喷出工序。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的基板处理方法,其特征在于,
冲洗液是过氧化氢水溶液。
5.根据权利要求1~3中的任一项所述的基板处理方法,其特征在于,
还包括:
过氧化氢喷出工序,所述过氧化氢喷出工序在所述混合流体喷出工序之后,向所述基板喷出过氧化氢水溶液;
冲洗工序,在所述过氧化氢喷出工序之后,向所述基板喷出作为纯水的冲洗液。
6.根据权利要求1~3中的任一项所述的基板处理方法,其特征在于,
在所述处理液喷出工序中,所述基板以第一转速旋转,
在所述混合流体喷出工序中,所述基板以比所述第一转速小的第二转速旋转。
7.根据权利要求1~3中的任一项所述的基板处理方法,其特征在于,
在结束所述混合流体喷出工序时,相比于所述处理液,先停止供给蒸汽状或雾状的纯水。
8.根据权利要求1~3中的任一项所述的基板处理方法,其特征在于,
所述混合流体是所述处理液与蒸汽状或雾状的纯水在被从喷嘴喷出起至到达所述基板为止的期间混合生成的。
9.根据权利要求1~3中的任一项所述的基板处理方法,其特征在于,
从所述基板的中心直到周缘部被供给所述混合流体,
冲洗液被以以下方式供给,与所述基板接触时扩展的冲洗液会到达所述基板的中心。
10.根据权利要求1~3中的任一项所述的基板处理方法,其特征在于,
还包括冲洗工序,在所述混合流体喷出工序之后,向所述基板喷出冲洗液,
在所述冲洗工序中,首先朝向所述基板的中心部与周缘部之间的中间部喷出冲洗液,接着使冲洗液的喷出位置朝向所述基板的中心部缓缓移动。
11.根据权利要求1~3中的任一项所述的基板处理方法,其特征在于,
所述处理液是将硫酸和过氧化氢水溶液混合生成的SPM液。
12.一种基板处理装置,具备:
保持部,其用于保持基板;
液喷出部,其向保持于所述保持部的所述基板喷出流体;
第一供给部,其向所述液喷出部供给处理液;
第二供给部,其向所述液喷出部供给蒸汽状或雾状的纯水;以及
控制部,其控制各部,
其中,所述控制部使得从所述液喷出部向保持于所述保持部的所述基板喷出所述处理液,
所述控制部使得从所述液喷出部向被喷出有所述处理液的所述基板喷出将所述处理液与蒸汽状或雾状的纯水混合生成的混合流体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





