[发明专利]提高电极粘连质量的红光二极管芯片及其制备方法

说明书

本公开提供了提高电极粘连质量的红光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。p焊点所连通的一次p电极位于氧化硅键合层上，且一次p电极远离衬底的表面与氧化硅键合层远离衬底的表面齐平，绝缘的氧化硅键合层本身支撑外延结构以及一次p电极。p电极与氧化硅键合层上的外延结构可以保持较为完整的状态，不易损坏。再增加与一次p电极连通的p焊点，与一次n电极连通的n焊点，金属材料构成的电极与焊点具有较好的抵抗应力的能力且难以被破坏，保证外延结构与电极、焊点之间的稳定连接，提高电极粘连质量以提高得到的红光二极管芯片的制备良率。

技术领域

本公开涉及发光二极管技术领域，特别涉及一种提高电极粘连质量的红光二极管芯片及其制备方法。

背景技术

红光发光二极管是一种常见光源器件，广泛应用于远程遥控，车辆传感，闭路电视等方面，红光发光二极芯片则是用于制备红光发光二极管的基础结构。

红光发光二极管芯片通常包括外延片与p、n焊点。外延片包括支撑衬底及依次层叠在支撑衬底上的p-GaP窗口层、p-AlInP限制层、多量子阱层、n-AlInP限制层、n-AlGaInP电流扩展层、保护层与布拉格反射镜，p焊点与n焊点分别连通至p-GaP窗口层与n-AlGaInP电流扩展层。

在制备红光发光二极管的过程中，需要从n-AlGaInP电流扩展层制备延伸至p-GaP窗口层的凹槽，以在p-GaP窗口层被凹槽暴露的表面连接p焊点。由于凹槽通常会从p-GaP窗口层刻蚀一定的深度，导致与p焊点连接的位置的p-GaP窗口层的厚度较薄，且p-GaP窗口层本身材料较脆，将p-GaP窗口层焊接至支撑衬底的过程中容易出现p-GaP窗口层损伤而导致p-GaP窗口层与p焊点接触不良、芯片不发光的问题。

发明内容

本公开实施例提供了提高电极粘连质量的红光二极管芯片及其制备方法，能够降低p-GaP窗口层与p电极接触不良出现的可能性，提高得到的红光发光二极管的成品良率。所述技术方案如下：

本公开实施例提供了一种提高电极粘连质量的红光二极管芯片，所述提高电极粘连质量的红光二极管芯片包括外延片、p焊点与n焊点，

所述外延片包括支撑衬底及依次层叠在所述支撑衬底上的氧化硅键合层、一次p电极、p-GaP窗口层、p-AlInP限制层、多量子阱层、n-AlInP限制层、n-AlGaInP电流扩展层、一次n电极与布拉格反射镜，所述一次p电极远离所述衬底的表面与所述氧化硅键合层远离所述衬底的表面齐平，所述氧化硅键合层远离支撑衬底的表面具有与所述一次p电极对应的槽，所述氧化硅键合层远离衬底的表面还与所述p-GaP窗口层相接，

所述p焊点与所述一次p电极连通，所述n焊点与所述一次n电极连通。

可选地，所述氧化硅键合层的厚度为2.5~3微米。

可选地，所述一次p电极的厚度为1.0~1.5微米。

可选地，所述p焊点包括依次层叠的第一Ti子层、第一Al子层、第二Ti子层、第一TiSn₁子层、第一TiSn₂子层、Sn子层、第二TiSn₂子层、第二TiSn₁子层、第三Ti子层、Ni子层与Au子层。

可选地，所述第一TiSn₁子层的中Sn的占比为18~22%，所述第一TiSn₂子层的中Sn的占比为48~52%。

可选地，所述第一TiSn₁子层的厚度小于所述第一TiSn₂子层的厚度，所述第一TiSn₂子层的厚度小于所述Sn子层的厚度。