[发明专利]提高电极粘连质量的红光二极管芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种提高电极粘连质量的红光二极管芯片，其特征在于，所述提高电极粘连质量的红光二极管芯片包括外延片、p焊点与n焊点，

所述外延片包括支撑衬底及依次层叠在所述支撑衬底上的氧化硅键合层、一次p电极、p-GaP窗口层、p-AlInP限制层、多量子阱层、n-AlInP限制层、n-AlGaInP电流扩展层、一次n电极与布拉格反射镜，所述一次p电极远离所述衬底的表面与所述氧化硅键合层远离所述衬底的表面齐平，所述氧化硅键合层远离支撑衬底的表面具有与所述一次p电极对应的槽，所述氧化硅键合层远离衬底的表面还与所述p-GaP窗口层相接，所述n-AlGaInP电流扩展层具有延伸至所述一次p电极的反射镜避让槽，所述布拉格反射镜暴露所述多量子阱层的部分侧壁，所述布拉格反射镜覆盖所述反射镜避让槽，

所述p焊点与所述一次p电极连通，所述n焊点与所述一次n电极连通，

所述p焊点包括依次层叠的第一Ti子层、第一Al子层、第二Ti子层、第一TiSn₁子层、第一TiSn₂子层、Sn子层、第二TiSn₂子层、第二TiSn₁子层、第三Ti子层、Ni子层与Au子层，所述第一TiSn₁子层的中Sn的占比为18~22%，所述第一TiSn₂子层的中Sn的占比为48~52%，所述第一TiSn₁子层的厚度小于所述第一TiSn₂子层的厚度，所述第一TiSn₂子层的厚度小于所述Sn子层的厚度。

2.根据权利要求1所述的提高电极粘连质量的红光二极管芯片，其特征在于，所述氧化硅键合层的厚度为2.5~3微米。

3.根据权利要求1所述的提高电极粘连质量的红光二极管芯片，其特征在于，所述一次p电极的厚度为1.0~1.5微米。

4.根据权利要求1所述的提高电极粘连质量的红光二极管芯片，其特征在于，所述第一TiSn₁子层的厚度范围为800~1200埃，所述第一TiSn₂子层的厚度范围为1500~2500埃，所述Sn子层的厚度范围为8000~12000埃。

5.一种提高电极粘连质量的红光二极管芯片制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一支撑衬底与一外延结构；

所述外延结构包括生长衬底及依次层叠在所述生长衬底上的n-AlGaInP电流扩展层、n-AlInP限制层、多量子阱层、p-AlInP限制层与p-GaP窗口层；

在所述p-GaP窗口层上形成一次p电极；

在所述一次p电极上形成氧化硅键合层，以所述氧化硅键合层远离所述生长衬底的表面为第一表面，所述第一表面平行于所述生长衬底的表面；

键合所述支撑衬底与所述第一表面；

去除所述生长衬底；

在所述n-AlGaInP电流扩展层形成延伸至所述一次p电极的反射镜避让槽，所述n-AlGaInP电流扩展层具有延伸至所述一次p电极的反射镜避让槽，所述反射镜避让槽仅暴露了所述一次p电极的所有表面的一部分；

在所述n-AlGaInP电流扩展层上形成一次n电极；

在所述一次n电极与所述n-AlGaInP电流扩展层上形成布拉格反射镜；

在所述布拉格反射镜上分别形成p焊点与n焊点，所述p焊点与所述n焊点分别延伸至所述一次p电极与所述一次n电极，所述p焊点包括依次层叠的第一Ti子层、第一Al子层、第二Ti子层、第一TiSn₁子层、第一TiSn₂子层、Sn子层、第二TiSn₂子层、第二TiSn₁子层、第三Ti子层、Ni子层与Au子层，所述第一TiSn₁子层的中Sn的占比为18~22%，所述第一TiSn₂子层的中Sn的占比为48~52%，所述第一TiSn₁子层的厚度小于所述第一TiSn₂子层的厚度，所述第一TiSn₂子层的厚度小于所述Sn子层的厚度。