[发明专利]超低氯高纯二氧化锗的制备方法在审
| 申请号： | 202111155802.6 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN113896225A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 彭伟校;梁水强;彭永延;陈应红;符积高 | 申请（专利权）人： | 广东先导稀材股份有限公司 |
| 主分类号： | C01G17/02 | 分类号： | C01G17/02 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 张向琨 |
| 地址： | 511500 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超低氯 高纯 氧化 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种超低氯高纯二氧化锗的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一，选料：选国标高纯二氧化锗为原料；
步骤二，煅烧：将国标高纯二氧化锗装入石英料盘中，放入高温煅烧炉内煅烧，煅烧12h～48h，得到二氧化锗粉体；
步骤三，研磨过筛：把步骤二煅烧后的二氧化锗粉体冷却至室温，经研磨，过100目筛，得到超低氯高纯二氧化锗。
2.根据权利要求1所述的二氧化锗的制备方法，其特征在于，
在步骤一中，国标高纯二氧化锗纯度为5N～6N。
3.根据权利要求1所述的二氧化锗的制备方法，其特征在于，
在步骤二中，石英料盘为方形或圆形。
4.根据权利要求1所述的二氧化锗的制备方法，其特征在于，
在步骤二中，石英料盘中国标高纯二氧化锗的厚度为0.5cm～10cm。
5.根据权利要求1所述的二氧化锗的制备方法，其特征在于，
在步骤二中，煅烧温度为900℃～1100℃。
6.根据权利要求1所述的二氧化锗的制备方法，其特征在于，
在步骤二中，煅烧的升温速度为5℃/min～10℃/min。
7.根据权利要求1所述的二氧化锗的制备方法，其特征在于，
在步骤二中，煅烧15～30h。
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