[发明专利]焊膏

说明书

本发明涉及一种焊膏，该焊膏由软钎料粉末和助焊剂构成，所述软钎料粉末由软钎料合金构成，所述软钎料合金具有U：小于5质量ppb、Th：小于5质量ppb、Pb：小于5质量ppm、As：小于5质量ppm、以及余量由Sn构成的合金组成，且α射线量为0.02cph/cm²以下，所述助焊剂含有卤素系活性剂、松香、触变剂和溶剂，且所述助焊剂不含有碳原子数为5以下的有机酸，所述卤素系活性剂的含量为0.1质量％以上且4质量％以下。根据本发明，可以提供一种能够提高软钎料的润湿性、抑制焊膏的经时的粘度增加、并且抑制软错误的发生的焊膏。

技术领域

本发明涉及一种焊膏。

背景技术

作为软钎料材料，使用含有软钎料粉末和助焊剂的焊膏。

在搭载于印刷基板的电子部件中，越来越要求小型化、高性能化。作为该电子部件，例如可以举出半导体封装件。在半导体封装中，具有电极的半导体元件被树脂成分密封。在该电极上形成有由软钎料材料形成的软钎料凸块。通过该软钎料材料，进行半导体元件和印刷基板的软钎焊，连接两者。

在软钎料材料中，α射线对软错误的影响成为问题。为了减轻对半导体元件的动作的这种不利影响，进行着包括软钎料材料的低α射线量材料的开发。

作为α射线源的主要原因是例如在软钎料材料中的软钎料合金、特别是作为基础的锡(Sn)基体金属中所含的微量的放射性元素。软钎料合金可以通过熔融混合原料金属来制备。在这种软钎料合金中，为了设计低α射线材料，重要的是从合金组成中去除诸如铀(U)、钍(Th)、钋(Po)的上游的放射性元素。

与此相对，在Sn基体金属的精炼中，去除U、Th、Po在技术上并不困难(例如，参照专利文献1)。

一般而言，在Sn中，作为杂质含有铅(Pb)、铋(Bi)。Pb和Bi中的放射性同位素²¹⁰Pb和²¹⁰Bi因β衰变而变成²¹⁰Po，²¹⁰Po因α衰变而在²⁰⁶Pb生成时产生α射线。据说该铀系列中的一系列的分裂是由软钎料材料产生α射线的主要原因。

另外，在由材料产生的α射线量的评价中，经常使用“cph/cm²”作为单位。“cph/cm²”是“counts per hour/cm²”的缩写，是指每1cm²、每1小时的α射线的计数数值。

Pb和Bi的半衰期如下。

对于Bi，²¹⁰Bi的半衰期为约5天。对于Pb，²¹⁰Pb的半衰期为约22.3年。而且，这些影响度(存在比)可以用下式表示(参照非专利文献1)。即，Bi对α射线产生的影响与Pb相比非常低。

[²¹⁰Bi]≒[²¹⁰Pb]/1.6×10³

式中，[²¹⁰Bi]表示²¹⁰Bi的摩尔浓度。[²¹⁰Pb]表示²¹⁰Pb的摩尔浓度。

如上所述，以往，在低α射线量材料的设计中，通常去除U、Th，并且进一步彻底去除Pb。