[发明专利]一种半导体器件中钙钛矿薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件中钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

S1：提供一半导体衬底；

S2：将半导体衬底转移到真空镀膜机中进行极性界面蒸镀形成界面层，界面层为氟化锂(LiF)、氟化钠(NaF)、氟化钾(KF)、氟化铷(RbF)、氟化铯(CsF)、氟化镁(MgF₂)、氟化钙(CaF₂)、碳酸锂(Li₂CO₃)、碳酸钠(Na₂CO₃)、碳酸钾(K₂CO₃)、碳酸铷(Rb₂CO₃)、碳酸铯(Cs₂CO₃)、碳酸钙(CaCO₃)、碳酸镁(MgCO₃)中的一种或者多种的组合，界面层的厚度为1nm；以及

S3：提供钙钛矿前驱体溶液，其中钙钛矿前驱体溶液为在CsPbBr₃基础上添加了A位阳离子和/或有机阳离子分子形成的溶液，并采用所述钙钛矿前驱体溶液直接在界面层上形成一层钙钛矿薄膜层，其中界面层起到绝缘的作用。

2.根据权利要求1所述的半导体器件中钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述有机阳离子分子为短链有机阳离子分子。

3.根据权利要求1所述的半导体器件中钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中的钙钛矿前驱体溶液为在CsPbBr₃基础上添加了A位阳离子和/或有机阳离子分子形成的溶液为：

在CsPbBr₃基础上添加A位阳离子甲脒氢溴酸盐(FABr)，形成钙钛矿前驱体溶液Cs_xFA_1-xPbBr₃(CFPB)。

4.根据权利要求3所述的半导体器件中钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，添加的A位阳离子甲脒氢溴酸盐(FABr)与基础的CsPbBr₃的摩尔比为n_FABr：n_CsPbBr3＝1:6.25。

5.根据权利要求1所述的半导体器件中钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中的钙钛矿前驱体溶液为在CsPbBr₃基础上添加了A位阳离子和/或有机阳离子分子形成的溶液为：

在CsPbBr₃基础上添加有机阳离子分子2-(4-甲氧基苯基)乙胺氢溴酸盐(MOPEABr)，形成钙钛矿前驱体溶液(MOPEA)₂Cs_n-1Pb_nBr_3n+1(MCPB)。

6.根据权利要求5所述的半导体器件中钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，添加的有机阳离子分子2-(4-甲氧基苯基)乙胺氢溴酸盐(MOPEABr)与基础的CsPbBr₃的摩尔比n_MOPEABr：n_CsPbBr3＝1:2。

7.根据权利要求1所述的半导体器件中钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中的钙钛矿前驱体溶液为在CsPbBr₃基础上添加了A位阳离子和/或有机阳离子分子形成的溶液为：

在CsPbBr₃基础上添加A位阳离子甲脒氢溴酸盐(FABr)和有机阳离子分子2-(4-甲氧基苯基)乙胺氢溴酸盐(MOPEABr)，形成钙钛矿前驱体溶液(MOPEA)₂(Cs_xFA_1-x)_n-1Pb_nBr_3n+1(MCFPB)。