[发明专利]用于体声波谐振器制作的方法、体声波谐振器、滤波器

说明书

本申请涉及体声波谐振器技术领域，公开一种用于体声波谐振器制作的方法，包括：提供衬底片，衬底片包括待移除层和在待移除层上形成的压电层；压电层由铌酸锂晶体或钽酸锂晶体制成；在压电层远离待移除层的一侧形成下电极结构；在下电极结构远离压电层的一侧形成谐振载体；移除待移除层；在压电层远离下电极结构的一侧形成上电极结构；在谐振载体、下电极结构之间形成空腔。这样，通过利用具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体作为压电层，对压电层进行双面制作形成的体声波谐振器，从而能够由具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体构成的压电层形成体声波谐振器。本申请还公开一种体声波谐振器、滤波器。

技术领域

本申请涉及体声波谐振器技术领域，例如涉及一种用于体声波谐振器制作的方法、体声波谐振器、滤波器。

背景技术

目前，对于一些常规的FBAR（ film bulk acoustic resonator，薄膜腔声谐振滤波器）谐振器结构而言，通常通过PVD（Physical Vapor Deposition，物理气相沉积）或者CVD（Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积）等工艺在衬底上制作具有压电特性的压电层，但是通过PVD或者CVD等工艺无法在体声波谐振器衬底上淀积具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体，因此，无法由具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体构成的压电层形成体声波谐振器。

发明内容

为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。

本公开实施例提供一种用于体声波谐振器制作的方法、体声波谐振器、滤波器，以能够利用由具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体构成的压电层形成体声波谐振器。

在一些实施例中，用于体声波谐振器制作的方法包括：提供衬底片，所述衬底片包括待移除层和在所述待移除层上形成的压电层；所述压电层由铌酸锂晶体或钽酸锂晶体制成；在所述压电层远离所述待移除层的一侧形成下电极结构；在所述下电极结构远离所述压电层的一侧形成谐振载体；移除所述待移除层；在所述压电层远离所述下电极结构的一侧形成上电极结构；在所述谐振载体、所述下电极结构之间形成谐振空间。

在一些实施例中，体声波谐振器，所述体声波谐振器由上述的用于体声波谐振器制作的方法制得。

在一些实施例中，滤波器包括上述体声波谐振器。

本公开实施例提供的用于体声波谐振器制作的方法、体声波谐振器、滤波器，可以实现以下技术效果：通过先在衬底片的压电层的一侧制作下电极结构、谐振载体，再在压电层的另一侧制作上电极结构，最后在谐振载体、下电极结构之间形成空腔。这样，通过利用具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体作为压电层，对压电层进行双面制作形成的体声波谐振器，从而能够由具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体构成的压电层形成体声波谐振器，并且由于压电层由具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体制成，能够提高体声波谐振器的带宽。

以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不构成比例限制，并且其中：

图1是本公开实施例提供的一个用于体声波谐振器制作的方法的示意图；

图2是本公开实施例提供的一个衬底片的结构示意图；

图3是本公开实施例提供的一个在衬底片上，依次淀积下电极层、第一钝化层后的结构示意图；

图4是本公开实施例提供的一个刻蚀下电极层、第一钝化层后的结构示意图；

图5是本公开实施例提供的一个在下电极结构上淀积牺牲层后的结构示意图；

图6是本公开实施例提供的一个刻蚀牺牲层后的结构示意图；