[发明专利]用于体声波谐振器制作的方法、体声波谐振器、滤波器

权利要求书

1.一种用于体声波谐振器制作的方法，其特征在于，包括：

提供衬底片，所述衬底片包括待移除层和在所述待移除层上形成的压电层；所述压电层由铌酸锂晶体或钽酸锂晶体制成；

在所述压电层远离所述待移除层的一侧形成下电极结构；

在所述下电极结构远离所述压电层的一侧形成谐振载体；

移除所述待移除层；

在所述压电层远离所述下电极结构的一侧形成上电极结构；

在所述谐振载体和所述下电极结构之间形成谐振空间。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述压电层远离所述待移除层的一侧形成下电极结构，包括：

在所述压电层远离所述待移除层的一侧依次淀积下电极层和第一钝化层；

刻蚀所述下电极层和所述第一钝化层形成下电极结构；使得所述下电极结构与所述压电层的一端连接，所述压电层的另一端暴露于所述下电极结构外。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述压电层远离所述待移除层的一侧形成下电极结构，包括：

在所述压电层远离所述待移除层的一侧淀积下电极层；

在所述下电极层上淀积下电极边缘凸点层；

刻蚀所述下电极边缘凸点层暴露出所述下电极层；

在刻蚀后的下电极边缘凸点层上淀积第一钝化层；

刻蚀所述下电极层、所述下电极边缘凸点层和所述第一钝化层形成下电极结构；使得所述下电极结构与所述压电层的一端连接，所述压电层的另一端暴露于所述下电极结构外。

4.根据权利要求2或3任一项所述的方法，其特征在于，在所述下电极结构远离所述压电层的一侧形成谐振载体，包括：

在所述下电极结构远离所述压电层的一侧淀积牺牲层；

对所述牺牲层进行刻蚀，刻蚀后的牺牲层形成凸起；

在所述凸起上淀积截止边界层；

在所述截止边界层远离所述第一钝化层的一侧沉积键合层；

在所述键合层远离所述截止边界层的一侧键合第一衬底，形成由所述牺牲层、所述截止边界层、所述键合层和所述第一衬底组成的谐振载体。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述压电层远离所述下电极结构的一侧形成上电极结构，包括：

在所述压电层远离所述下电极结构的一侧淀积上电极层；

在所述上电极层上淀积第二钝化层；

对所述上电极层和所述第二钝化层进行刻蚀形成上电极结构；使得所述上电极结构与所述压电层的一端连接，所述压电层的另一端暴露于所述上电极结构外。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述压电层远离所述下电极结构的一侧形成上电极结构，包括：

在所述压电层远离所述下电极结构的一侧淀积上电极层；

在所述上电极层上淀积上电极边缘凸点层；

刻蚀所述上电极边缘凸点层暴露出所述上电极层；

在刻蚀后的上电极边缘凸点层上淀积第二钝化层；

刻蚀所述上电极层、所述上电极边缘凸点层和所述第二钝化层形成上电极结构；使得所述上电极结构与所述压电层的一端连接，所述压电层的另一端暴露于所述上电极结构外。

7.根据权利要求5或6任一项所述的方法，其特征在于，在所述压电层远离所述下电极结构的一侧形成上电极结构后，还包括：

刻蚀所述压电层未与所述上电极结构接触的部分形成第一通孔；

在所述第一通孔和所述第一通孔外围的所述压电层形成第一导通层；所述第一导通层穿过所述第一通孔连接所述下电极结构；

刻蚀所述第二钝化层形成第二通孔；在所述第二通孔和所述第二通孔外围的所述第二钝化层形成第二导通层；所述第二导通层连接所述上电极结构。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述谐振载体、所述下电极结构之间形成谐振空间，包括：

腐蚀所述凸起，使得所述截止边界层、所述下电极结构和所述压电层之间形成谐振空间。