[发明专利]一种用于金刚石的生长装置及方法在审
申请号: | 202111106745.2 | 申请日: | 2021-09-22 |
公开(公告)号: | CN113818004A | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 陈海勇;陈熙野;姜志刚 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/455;C23C16/46 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 朱广 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 金刚石 生长 装置 方法 | ||
本发明涉及金刚石生产技术领域,尤其涉及一种用于金刚石的生长装置,包括十字形管件,所述十字形管件的外侧设置有加热套管,且十字形管件的内部设置有金刚石沉积衬底,还包括:混气机构,所述混气机构和十字形管件之间通过细管相连通;以及放电机构,所述放电机构用于加热混气机构导出的气流。本发明有效实现可在大气压条件下进行金刚石的快速生长,气流速度越快生长速度越高,使用效果更佳。
技术领域
本发明涉及金刚石生产技术领域,尤其涉及一种用于金刚石的生长装置及方法。
背景技术
金刚石气相沉积生长常用的有热灯丝,直流电弧和微波等离子体生长方法,在真空低气压下,氢气和少量气态碳氢或碳氢氧化合物在高温下分解,得到碳活性粒子和原子氢。在合适的条件下会得到金刚石,生长速度每小时几微米或几十微米。金刚石的生长速度与碳活性粒子浓度成正比,而高的碳活性粒子浓度只有在高的原子氢浓度时才生成金刚石,否则生成石墨。原子氢浓度随热源温度呈指数增长。高的热源温度需要大的能量密度,现在最高的是微波等离子体方法,能量密度约是10KW/cm3。大的能量密度不仅能提高生长速度,而且能在更高的气压下进行金刚石生长,
目前,有采用接近大气压下用微波法进行金刚石生长,但还不能脱离真空设备,真空的使用会大大增加设备投资负担和使工艺变得繁琐复杂。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺陷,而提出的一种用于金刚石的生长装置及方法。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
一种用于金刚石的生长装置,包括十字形管件,所述十字形管件的外侧设置有加热套管,且十字形管件的内部设置有金刚石沉积衬底,还包括:
混气机构,所述混气机构和十字形管件之间通过细管相连通;以及
放电机构,所述放电机构用于加热混气机构导出的气流。
作为本发明实施例再进一步的方案:所述混气机构包括第一导气管、第二导气管和混气瓶,所述第一导气管上设置有第一微调阀,且第一导气管的端部连通有储气瓶,所述储气瓶和混气瓶之间通过连通管相连通,所述第二导气管上设置有第二微调阀,且第二导气管的端部和混气瓶之间相连通,所述细管的一端和混气瓶相连通,且细管的另一端贯穿设置于十字形管件中。
作为本发明实施例再进一步的方案:所述放电机构包括:
电源单元,为电极单元提供合适的电压、电阻、电容、电感;
电极单元,振动电极产生电弧在大气压下点燃辉光放电,得到均匀稳定的辉光放电或电弧辉光混合放电;
电极控制单元,控制电极单元工作或者休息;
控制单元,通过控制电极控制单元控制电极单元,实现对电弧周围温度的调控;
电源单元的输出端连接电极单元的第一输入端;
电极控制单元的输出端连接电极单元的第二输入端;
控制单元的输出端连接电极控制单元的输入端。
作为本发明实施例再进一步的方案:所述电源单元包括第一直流电源、第一电感、第一电容、第一限流电阻,第一直流电源的正极连接第一限流电阻,第一限流电阻的另一端连接第一电容、第一电感,第一电容的另一端连接第一直流电源的负极,第一电感的另一端连接电极单元的第一输入端。
作为本发明实施例再进一步的方案:所述电极单元包括第一圆棒形电极、第二圆棒形电极,电源单元的输出端连接第二圆棒形电极的一端,第一圆棒形电极的一端连接第一直流电源的负极,第一圆棒形电机和第二圆棒形电极均贯穿设置于十字形管件中,且第二圆棒形电极和第一圆棒形电极中间存在空隙,细管的端部与空隙保持持平。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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