[发明专利]谐振器组、滤波器、电子设备及谐振器制作方法在审
| 申请号: | 202111033255.4 | 申请日: | 2021-09-03 |
| 公开(公告)号: | CN115765673A | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
| 发明(设计)人: | 郝龙;庞慰;马晓丹;徐洋 | 申请(专利权)人: | 诺思(天津)微系统有限责任公司 |
| 主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/13;H03H9/56;H03H9/58;H03H3/02 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨泽;臧建明 |
| 地址: | 300457 天津市滨*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 谐振器 滤波器 电子设备 制作方法 | ||
本发明提供一种谐振器组、滤波器、电子设备及谐振器制作方法。谐振器制作方法包括:提供衬底;在衬底上形成由层叠设置的声学镜、底电极、压电层、顶电极和导电层构成的层叠结构,其中,导电层覆盖顶电极的部分区域;在层叠结构上通过一次图形化形成引线开口结构,引线开口结构包括至少延伸至导电层的第一开口和延伸至底电极的第二开口;形成容设在第一开口内的顶电极引线和容设在底电极开口内的底电极引线。本发明能够降低谐振器的制作成本。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种谐振器组、滤波器、电子设备及谐振器制作方法。
背景技术
随着现代无线通信技术向着高频、高速的方向发展,以谐振器、例如薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator,FBAR)为基础的滤波器、双工器等滤波器件越来越为市场所青睐。
现有的谐振器包括衬底,以及依次层叠在该衬底上的声学镜、下电极、压电层、上电极等膜层。对于上电极、下电极等与外部元器件的连接,可以通过刻蚀上电极表面介质层形成上电极引线槽,通过刻蚀下电极表面的压电层形成下电极引线槽,再形成可容置在上电极引线槽或下电极引线槽中的引线结构,以实现不同谐振器中的上电极与下电极的连接,即实现一个谐振器中的上电极与另一个谐振器中的下电极的连接。通常情况下,压电层的厚度大于上电极表面介质层的厚度,为了避免上电极引线槽位置处的上电极过刻,对上电极表面介质层的刻蚀与对下电极表面的压电层的刻蚀一般不会在同一个刻蚀工序中完成。
然而,上述现有的谐振器的制作方法中,需要在两个不同的刻蚀工序中刻蚀完成上电极引线槽和下电极引线槽,这导致谐振器制作成本较高。
发明内容
鉴于上述问题,本申请提供一种谐振器组、滤波器、电子设备及谐振器制作方法,可以在同一个工序中完成引线开口结构,因此能够降低谐振器的制作成本。
为了实现上述目的,本申请第一方面提供一种谐振器制作方法,包括:
提供衬底;
在衬底上形成由层叠设置的声学镜、底电极、压电层、顶电极和导电层构成的层叠结构,其中,导电层覆盖顶电极的部分区域;
在层叠结构上通过一次图形化形成引线开口结构,引线开口结构包括至少延伸至导电层的第一开口和延伸至底电极的第二开口;
形成容设在第一开口内的顶电极引线和容设在底电极开口内的底电极引线。
在一种可选的实施方式中,在层叠结构上通过图形化形成引线开口结构,具体包括:
通过同一次刻蚀工序分别图案化第一开口和第二开口。
在一种可选的实施方式中,通过同一次刻蚀工序分别图案化第一开口和第二开口,具体包括:
在底电极的边缘区域图形化第二开口,以使第二开口贯穿压电层并延伸至底电极,其中,底电极的边缘区域为底电极的未被顶电极覆盖的部位;
在导电层上图形化第一开口。
在一种可选的实施方式中,第二开口延伸至底电极的朝向顶电极的一侧表面;或者
第二开口延伸至底电极在谐振器纵向的内部区域。
在一种可选的实施方式中,第一开口延伸至导电层或顶电极。
在一种可选的实施方式中,第一开口延伸至导电层的表面;或者第一开口延伸至导电层在谐振器纵向的内部区域;或者第一开口延伸至顶电极的表面;或者第一开口延伸至顶电极在谐振器纵向的内部区域
在一种可选的实施方式中,在引线开口结构上设置引线层,并对引线层进行图形化,具体包括:
在层叠结构上设置引线层;
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