[发明专利]谐振器组、滤波器、电子设备及谐振器制作方法

权利要求书

1.一种谐振器制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成由层叠设置的声学镜、底电极、压电层、顶电极和导电层构成的层叠结构，其中，所述导电层覆盖所述顶电极的部分区域；

在所述层叠结构上通过一次图形化形成引线开口结构，所述引线开口结构包括至少延伸至所述导电层的第一开口和延伸至所述底电极的第二开口；

形成容设在所述第一开口内的顶电极引线和容设在所述底电极开口内的底电极引线。

2.根据权利要求1所述的谐振器制作方法，其特征在于，所述在所述层叠结构上通过图形化形成引线开口结构，具体包括：

通过同一次刻蚀工序分别图案化所述第一开口和所述第二开口。

3.根据权利要求2所述的谐振器制作方法，其特征在于，所述通过同一次刻蚀工序分别图案化所述第一开口和所述第二开口，具体包括：

在所述底电极的边缘区域图形化所述第二开口，以使所述第二开口贯穿所述压电层并延伸至所述底电极，其中，所述底电极的边缘区域为所述底电极的未被所述顶电极覆盖的部位；

在所述导电层上图形化所述第一开口。

4.根据权利要求3所述的谐振器制作方法，其特征在于，所述第二开口延伸至所述底电极的朝向所述顶电极的一侧表面；或者

所述第二开口延伸至所述底电极在所述谐振器纵向的内部区域。

5.根据权利要求3所述的谐振器制作方法，其特征在于，所述第一开口延伸至所述导电层或所述顶电极。

6.根据权利要求5所述的谐振器制作方法，其特征在于，所述第一开口延伸至所述导电层的表面；或者

所述第一开口延伸至所述导电层在所述谐振器纵向的内部区域；或者

所述第一开口延伸至所述顶电极的表面；或者

所述第一开口延伸至所述顶电极在所述谐振器纵向的内部区域。

7.根据权利要求3所述的谐振器制作方法，其特征在于，所述在所述引线开口结构上设置引线层，并对所述引线层进行图形化，具体包括：

在所述层叠结构上设置引线层；

对所述引线层进行图形化，以在对应于所述引线开口结构的位置形成引线，所述引线的容设于所述第一开口内的部分形成所述顶电极引线，所述引线的容设于所述第二开口内的部分形成所述底电极引线。

8.根据权利要求1所述的谐振器制作方法，其特征在于，所述在所述层叠结构上通过图形化形成引线开口结构，具体包括：

通过同一次刻蚀工序图案化相互连通的所述第一开口和所述第二开口。

9.一种谐振器组，其特征在于，包括至少两个谐振器单元和用于连接相邻所述谐振器单元的引线；每个所述谐振器单元包括层叠设置的声学镜、底电极、压电层、顶电极和导电层，所述声学镜、所述底电极、所述压电层和所述顶电极的重叠部分共同形成所述谐振器单元的有效区域；所述导电层覆盖所述顶电极的至少部分边缘区域，且所述导电层和所述顶电极电连接；

至少两个所述谐振器单元包括第一谐振器单元和第二谐振器单元，所述第一谐振器单元具有至少延伸至所述导电层的第一开口，所述第二谐振器单元具有延伸至所述底电极的第二开口，所述第一开口和所述第二开口在同一次图形化工序中形成；

所述引线包括容设在所述第一开口内的顶电极引线和容设在所述第二开口内的底电极引线。

10.根据权利要求9所述的谐振器组，其特征在于，所述第一开口延伸至所述导电层或所述顶电极。

11.根据权利要求10所述的谐振器组，其特征在于，所述第一开口延伸至所述导电层的表面；或者

所述第一开口延伸至所述导电层在所述谐振器纵向的内部区域；或者

所述第一开口延伸至所述顶电极的表面；或者

所述第一开口延伸至所述顶电极在所述谐振器纵向的内部区域。