[发明专利]一种薄膜晶体管、制备方法以及显示面板

说明书

本发明实施例公开了一种薄膜晶体管、制备方法以及显示面板。该薄膜晶体管包括：衬底；叠层设置在衬底表面的有源层、栅极、源极和漏极；有源层包括源区、漏区和沟道区，源区与源极连接，漏区与漏极连接，且源区、沟道区和漏区的导电率相等；源极和漏极，至少有1个在衬底上的投影和栅极在衬底上的投影无交叠；有源层的载流子浓度大于或等于10¹⁸/cm³，且小于或等于10²⁰/cm³。本发明实施例提供的技术方案，无需对有源层进行高导化处理，简化了薄膜晶体管的制备工艺，降低了薄膜晶体管的制作成本。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、制备方法以及显示面板。

背景技术

薄膜晶体管作为液晶、有机显示器的关键器件，对于显示器件的工作性能具有十分重要的作用。

现有的薄膜晶体管包括衬底，以及位于衬底表面叠层设置的有源层、栅极、源极和漏极，通常需要对有源层与源极相连的部分以及漏极与有源层相连的部分进行高导化处理，以提高有源层与源极相连的部分以及有源层与漏极相连的部分的导电率，以提高薄膜晶体管的响应速率。但是对有源层进行高导化处理的工艺比较繁琐，导致薄膜晶体管的制作成本过高。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管、制备方法以及显示面板，以简化薄膜晶体管的制备工艺，降低薄膜晶体管的制作成本。

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，包括：

衬底；

叠层设置在所述衬底表面的有源层、栅极、源极和漏极；

所述有源层包括源区、漏区和沟道区，所述源区与所述源极连接，所述漏区与所述漏极连接，且所述源区、所述沟道区和所述漏区的导电率相等；

所述源极和所述漏极，至少有1个在所述衬底上的投影和所述栅极在所述衬底上的投影无交叠；

所述有源层的载流子浓度大于或等于10¹⁸/cm³，且小于或等于10²⁰/cm³。

可选的，所述有源层的载流子迁移率大于或等于20cm²/(V·s)，且小于或等于100cm²/(V·s)。

可选的，所述有源层包括(AO)_x(BO)_y(RO)_z，其中，x+y+z＝1；0.5≤x≤0.8，0≤y≤0.3，0.00001≤z≤0.05，所述A包括铟和/或锡，所述B包括锌、镓、钽以及铋中的至少一种，所述RO包括氧化镨、氧化铽、氧化镝以及氧化镱中的至少一种。

可选的，所述源极和所述漏极，至少有1个和所述栅极位于同一层，且材料相同。

可选的，还包括栅极绝缘层；

所述有源层位于所述衬底的表面；

所述栅极绝缘层位于所述有源层远离所述衬底的表面，其中，所述栅极绝缘层设置有间隔设置的第一过孔和第二过孔；

所述栅极、所述源极和所述漏极位于所述栅极绝缘层远离所述衬底的表面，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间，所述源极通过第一过孔与所述源区连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述漏区连接。

可选的，还包括栅极绝缘层；

所述栅极、所述源极和所述漏极位于所述衬底的表面，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间；

所述栅极绝缘层位于所述栅极远离所述衬底的表面，且覆盖所述源极和所述漏极，其中，所述栅极绝缘层设置有间隔设置的第一过孔和第二过孔；