[发明专利]喷嘴待机装置、液处理装置以及液处理装置的运转方法在审
申请号: | 202111024997.0 | 申请日: | 2021-09-02 |
公开(公告)号: | CN114171428A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 新村聪;川上浩平;稻田博一;高柳康治 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷嘴 待机 装置 处理 以及 运转 方法 | ||
喷嘴待机装置、液处理装置以及液处理装置的运转方法。喷嘴在喷嘴收容部待机并在顶端部吸入溶剂而形成液层时,即使喷出的处理液高粘度也能在顶端部形成溶剂的液层。包括:喷嘴收容部,包含以包围喷嘴顶端部的方式形成的内周面并与喷嘴的喷出口相对地形成排出口;溶剂喷出口,在喷嘴收容部内开口,使喷出的溶剂沿喷嘴收容部的内周面引导而自排出口排出,喷嘴收容部在排出口的上方侧在溶剂呈涡流下落的部位具有缩径部,缩径部包括相对于喷嘴收容部的中心线的角度不同的第1内周面和第2内周面,在以包含喷嘴收容部的中心线的方式沿其剖切的剖面中,沿相对的各第1内周面延伸的两直线交点位于比当喷嘴的顶端部配置于缩径部时的喷嘴的喷出口靠上方。
技术领域
本公开涉及喷嘴待机装置、液处理装置以及液处理装置的运转方法。
背景技术
专利文献1公开了一种喷嘴待机装置,该喷嘴待机装置供用于喷出会因干燥而固化的处理液的喷嘴待机,并在喷嘴的顶端部吸入溶剂而形成溶剂的液层。该喷嘴待机装置包括:喷嘴收容部,其包含以包围喷嘴的顶端部的方式形成的内周面,并与喷嘴的喷出口相对地形成有排出口;溶剂喷出口,其在喷嘴收容部内开口,形成为喷出来的溶剂被沿着喷嘴收容部的内周面引导而自排出口排出;以及溶剂供给部,在喷嘴的顶端部形成溶剂的液层时,该溶剂供给部以第1流量向溶剂喷出口供给溶剂,在以利用该溶剂封堵喷嘴的喷出口的方式形成了液膜之后,该溶剂供给部以能够维持喷嘴的喷出口被溶剂封堵着的状态的、少于第1流量的第2流量向溶剂喷出口供给溶剂。
专利文献1:日本特开2019-079886号公报
发明内容
发明要解决的问题
对于本公开的技术,当用于喷出处理液的喷嘴在喷嘴收容部待机并在喷嘴的顶端部吸入溶剂而形成溶剂的液层时,即使所喷出的处理液为高粘度的,也能够在喷嘴的顶端部形成溶剂的液层。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案为一种喷嘴待机装置,其供用于喷出会因干燥而固化的处理液的喷嘴待机,其中,该喷嘴待机装置包括:喷嘴收容部,其包含以包围喷嘴的顶端部的方式形成的内周面,并与喷嘴的喷出口相对地形成有排出口;以及溶剂喷出口,其在所述喷嘴收容部内开口,该溶剂喷出口形成为使喷出来的溶剂沿着所述喷嘴收容部的内周面引导而自所述排出口排出,所述喷嘴收容部在所述排出口的上方侧在自所述溶剂喷出口喷出来的溶剂成为涡流地下落的部位以内径越去向所述排出口越小的方式具有缩径部,该缩径部包括形成为相对于所述喷嘴收容部的中心线的角度互相不同的内周面的第1内周面和第2内周面,在以包含所述喷嘴收容部的中心线的方式沿着该中心线剖切而成的剖面中,沿着相对的各个所述第1内周面延伸的两条直线的交点位于比当所述喷嘴的顶端部配置于所述缩径部时的所述喷嘴的喷出口靠上方的位置。
发明的效果
根据本公开,当用于喷出处理液的喷嘴在喷嘴收容部待机并在喷嘴的顶端部吸入溶剂而形成溶剂的液层时,即使所喷出的处理液为高粘度的,也能够在喷嘴的顶端部形成溶剂的液层。
附图说明
图1是表示本实施方式的具备喷嘴待机装置的液处理装置的结构的概略的纵剖侧视图。
图2是表示本实施方式的具备喷嘴待机装置的液处理装置的结构的概略的立体图。
图3是表示设于液处理装置的喷嘴单元的立体图。
图4是表示设于喷嘴单元的涂布喷嘴、和待机单元的局部的纵剖侧视图。
图5是以包含溶剂喷出口的方式剖切而成的喷嘴收容部的横剖视图。
图6是表示喷嘴单元和待机单元的纵剖侧视图。
图7是表示设于喷嘴单元的涂布喷嘴、和待机单元的局部的纵剖侧视图。
图8是表示液处理装置的作用的纵剖侧视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造