[发明专利]喷嘴待机装置、液处理装置以及液处理装置的运转方法在审
申请号: | 202111024997.0 | 申请日: | 2021-09-02 |
公开(公告)号: | CN114171428A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 新村聪;川上浩平;稻田博一;高柳康治 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷嘴 待机 装置 处理 以及 运转 方法 | ||
1.一种喷嘴待机装置,其供用于喷出会因干燥而固化的处理液的喷嘴待机,其中,
该喷嘴待机装置包括:
喷嘴收容部,其包含以包围喷嘴的顶端部的方式形成的内周面,并与喷嘴的喷出口相对地形成有排出口;以及
溶剂喷出口,其在所述喷嘴收容部内开口,该溶剂喷出口形成为使喷出来的溶剂沿着所述喷嘴收容部的内周面引导而自所述排出口排出,
所述喷嘴收容部在所述排出口的上方侧在自所述溶剂喷出口喷出来的溶剂成为涡流地下落的部位以内径越去向所述排出口越小的方式具有缩径部,该缩径部包括形成为相对于所述喷嘴收容部的中心线的角度互相不同的内周面的第1内周面和第2内周面,
在以包含所述喷嘴收容部的中心线的方式沿着该中心线剖切而成的剖面中,沿着相对的各个所述第1内周面延伸的两条直线的交点位于比当所述喷嘴的顶端部配置于所述缩径部时的所述喷嘴的喷出口靠上方的位置。
2.根据权利要求1所述的喷嘴待机装置,其中,
所述溶剂喷出口形成于所述缩径部的上方。
3.根据权利要求1或2所述的喷嘴待机装置,其中,
所述交点位于所述第2内周面的内方的区域。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的喷嘴待机装置,其中,
所述缩径部包括第3内周面,该第3内周面形成为内径自所述第2内周面越去向所述排出口越小。
5.根据权利要求4所述的喷嘴待机装置,其中,
在以包含所述喷嘴收容部的中心线的方式沿着该中心线剖切而成的剖面中,相对的各个所述第1内周面所成的角度与相对的各个所述第3内周面所成的角度互相相等。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的喷嘴待机装置,其中,
在所述喷嘴收容部的比所述溶剂喷出口靠上方的部位设有与所述排出口不同的其他溶剂排出口。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的喷嘴待机装置,其中,
该喷嘴待机装置包括控制部,该控制部构成为进行以下控制:当进行在所述喷嘴的顶端部吸入溶剂而形成溶剂的液层之前喷出所述处理液的预喷出时,同时进行所述喷嘴收容部内的自所述喷嘴的处理液喷出和自所述溶剂喷出口的溶剂喷出。
8.根据权利要求7所述的喷嘴待机装置,其中,
所述控制部构成为进行以下控制:使所述喷嘴移动,以在所述预喷出时使所述喷嘴的顶端部成为位于比所述溶剂喷出口靠上方的位置的状态。
9.一种液处理装置,其中,
该液处理装置包括:
基板保持部,其保持基板;
喷嘴,其将会因干燥而固化的处理液向保持于所述基板保持部的基板的表面喷出;
权利要求1~8中任一项所述的喷嘴待机装置;以及
抽吸机构,其对在所述喷嘴待机装置待机的喷嘴内的流路向上游侧进行抽吸而吸入溶剂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造