[发明专利]一种减少活化钯流失的电镀工艺在审

专利信息
申请号: 202111015492.8 申请日: 2021-08-31
公开(公告)号: CN113755912A 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 王景贵;谢明运;李仕武;罗佳佳 申请(专利权)人: 广州广合科技股份有限公司
主分类号: C25D3/50 分类号: C25D3/50;C25D5/00;C25D21/06
代理公司: 广州市时代知识产权代理事务所(普通合伙) 44438 代理人: 梁美玲
地址: 510730 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 减少 活化 流失 电镀 工艺
【权利要求书】:

1.一种减少活化钯流失的电镀工艺,其特征在于:包括以下步骤,

S1、预处理待电镀的板件,将预处理后的板件置入预浸槽中预浸,所述预浸槽内装有预浸盐;

S2、将S1处理后的板件置入第一活化缸中,所述第一活化缸内装第一活化液;

S3、将S2处理后的板件置入第二活化缸中,所述第二活化缸内装有第二活化液;

S4、将S3处理后的板件返回并置入所述第一活化缸内,停留活化一定时间;

S5、水洗S4处理后的板件,获得水洗后的板件;

其中,第一活化液的浓度比第二活化液的浓度低。

2.根据权利要求1所述的减少活化钯流失的电镀工艺,其特征在于:所述板件是PCB板。

3.根据权利要求1所述的减少活化钯流失的电镀工艺,其特征在于:所述板件置入预浸槽中的时间是30s~60s。

4.根据权利要求3所述的减少活化钯流失的电镀工艺,其特征在于:所述S2中,板件置入所述第一活化缸的时间是20s~40s。

5.根据权利要求4所述的减少活化钯流失的电镀工艺,其特征在于:所述S3中,板件置入所述第二活化缸的时间是5s~7s。

6.根据权利要求5所述的减少活化钯流失的电镀工艺,其特征在于:所述S4中,板件置入所述第一活化缸的时间是20s~40s。

7.根据权利要求1所述的减少活化钯流失的电镀工艺,其特征在于:所述S5后,沉铜处理水洗后的板件。

8.根据权利要求1所述的减少活化钯流失的电镀工艺,其特征在于:所述第一活化缸内设循环过滤器。

9.根据权利要求8所述的减少活化钯流失的电镀工艺,其特征在于:所述第一活化缸内的第一活化液的温度控制在25℃~30℃。

10.据权利要求9所述的减少活化钯流失的电镀工艺,其特征在于:所述第一活化缸内设消泡震动器。

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