[发明专利]一种LED器件封装材料及其制备方法和应用

说明书

本发明涉及一种LED器件封装材料及其制备方法和应用，LED器件封装材料的制备方法包括如下步骤，S1.在蓝宝石的表面沉积二氧化硅膜；S2.在S1中二氧化硅膜的表面涂光刻胶，使光刻胶的表面形成阵列图案；S3.将S2中光刻胶上的阵列图案通过刻蚀转移到二氧化硅膜上，在二氧化硅膜上形成阵列结构；S4.去除S3中的光刻胶；S5.去除S4中阵列结构之外的二氧化硅膜，得到以蓝宝石为基底且蓝宝石的表面覆盖有二氧化硅阵列结构的LED器件封装材料；二氧化硅膜的厚度为10～30um；刻蚀时间为60～120s。相对于直接在蓝宝石的表面刻蚀形成阵列结构，本发明是通过刻蚀二氧化硅膜形成阵列结构，能够降低工艺难度。

技术领域

本发明涉及紫外LED领域，更具体地，涉及一种LED器件封装材料及其制备方法和应用。

背景技术

深紫外LED器件是指发光波段在200nm～300nm之间的发光二极管，因其在激发白光、生化探测、杀菌消毒、净化环境、聚合物固化以及短距离安全通讯等诸多应用领域有着巨大的潜在应用价值而备受关注。此外，基于氮化铝镓(AlGaN)材料的紫外LED也是目前氮化物技术发展和第三代半导体材料技术发展的主要趋势，拥有广阔的应用前景。与传统紫外汞灯相比，AlGaN基紫外LED有着长寿命、低电压、波长可调、环保、方向性好、迅速切换、耐震耐潮、轻便灵活等众多优点。随着技术的发展，将成为未来新型应用的主流。

现有的深紫外LED器件利用阵列结构透镜作为封装材料，阵列结构透镜虽然能够提高光的透过率，但是光提取率仍然较低。现有技术CN104503007A公开了LED器件封装材料的制备方法，其在蓝宝石上雕刻形成LED器件封装材料，然而，由于蓝宝石的成分为三氧化二铝，刻蚀三氧化二铝需要采用离子刻蚀机，大幅增加工艺难度。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服现有LED器件封装材料的光提取率低、工艺难度高的缺陷和不足，提供一种LED器件封装材料的制备方法，能够提高光提取率，还能够降低工艺难度。

本发明还提供一种深紫外LED器件。

本发明上述目的通过以下技术方案实现：

一种LED器件封装材料的制备方法，包括如下步骤，

S1.在蓝宝石的表面沉积二氧化硅膜；

S2.在S1中二氧化硅膜的表面涂光刻胶，使光刻胶的表面形成阵列图案；

S3.将S2中光刻胶上的阵列图案通过刻蚀转移到二氧化硅膜上，在二氧化硅膜上形成阵列结构；

S4.去除S3中的光刻胶；

S5.去除S4中阵列结构之外的二氧化硅膜，得到以蓝宝石为基底且蓝宝石的表面覆盖有二氧化硅阵列结构的LED器件封装材料；

其中，S1中，二氧化硅膜的厚度为10～30um；

S3中，刻蚀时间为60～120s。

本发明在蓝宝石的表面先沉积二氧化硅膜，形成了以蓝宝石为基底且蓝宝石的表面覆盖有特定阵列图案的二氧化硅阵列结构的LED器件封装材料，相对于直接在蓝宝石的表面刻蚀形成阵列结构，本发明方法工艺难度非常低。本发明的微透镜阵列，相对于石英玻璃，蓝宝石的透光率更高，因此，采用蓝宝石作为基材，能够提高透光率。