[发明专利]一种LED器件封装材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种LED器件封装材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤，

S1.在蓝宝石的表面沉积二氧化硅膜；

S2.在S1中二氧化硅膜的表面涂光刻胶，使光刻胶的表面形成阵列图案；

S3.将S2中光刻胶上的阵列图案通过刻蚀转移到二氧化硅膜上，在二氧化硅膜上形成阵列结构；

S4.去除S3中的光刻胶；

S5.去除S4中阵列结构之外的二氧化硅膜，得到以蓝宝石为基底且蓝宝石的表面覆盖有二氧化硅阵列结构的LED器件封装材料；

其中，S1中，二氧化硅膜的厚度为10～30um；

S3中，刻蚀时间为60～120s。

2.如权利要求1所述LED器件封装材料的制备方法，其特征在于，S1中，二氧化硅膜的厚度为15～25um；S3中，刻蚀时间为80～100s。

3.如权利要求1所述LED器件封装材料的制备方法，其特征在于，S2中，在S1中二氧化硅膜的表面涂光刻胶，在光刻胶上覆盖有阵列图案的光刻板，对光刻板投影曝光，将光刻板上的阵列图案转移到光刻胶上。

4.如权利要求3所述LED器件封装材料的制备方法，其特征在于，光刻板上具有阵列孔，阵列孔弯曲面的曲率半径为15～20μm。

5.如权利要求4所述LED器件封装材料的制备方法，其特征在于，阵列孔弯曲面的曲率半径为18μm。

6.如权利要求1所述LED器件封装材料的制备方法，其特征在于，S3中，通过感应耦合等离子体刻蚀将S2中光刻胶上的阵列图案转移到二氧化硅膜上，感应耦合等离子体刻蚀中射频功率为700～900W，刻蚀气体为四氟化碳、六氟化硫和氧气，四氟化碳、六氟化硫和氧气的流量比为150～250：50～150：50～100。

7.权利要求1～6任一项所述LED器件封装材料的制备方法制备的LED器件封装材料。

8.权利要求7所述LED器件封装材料在制备深紫外LED器件中的应用。

9.一种深紫外LED器件，其特征在于，包括权利要求7所述LED器件封装材料和LED芯片。

10.如权利要求9所述深紫外LED器件，其特征在于，LED芯片的发射波长为200～300nm，所述LED器件封装材料中二氧化硅阵列结构的厚度与发射波长的比率为0.4。