[发明专利]固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法、以及电子机器在审
| 申请号: | 202111005601.8 | 申请日: | 2021-08-30 |
| 公开(公告)号: | CN115548035A | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
| 发明(设计)人: | 田中俊介;野房勇希 | 申请(专利权)人: | 广东京之映科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
| 代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
| 地址: | 519000 广东省珠海市银*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固体 摄像 装置 制造 方法 以及 电子 机器 | ||
1.一种固体摄像装置,具有画素部,该画素部要进行光电转换,且至少可视光用的多个画素配置成行列状而成,且该画素部包含:
滤光器阵列,至少配置有多个可视光用的彩色滤光器而成;
多个可视光用的光电转换部,具有将穿通过配置于一面侧的前述各彩色滤光器的光进行光电转换,且将经光电转换所获得的电荷予以输出的功能,且该多个可视光用的光电转换部至少对应前述多个彩色滤光器;
光高吸收层,配置于前述光电转换部的一面侧,且在前述光电转换部的一面侧表面控制入射光的反射成分,且使的再扩散于前述光电转换部中;及
漫射光抑制结构体,抑制朝向包含前述光高吸收层的前述光电转换部的一面侧的光入射路中的漫射光。
2.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,前述漫射光抑制结构体包含形成于前述光电转换部的一面侧与前述滤光器的光出射面侧的间的平坦膜,
前述平坦膜形成为与前述光高吸收层的膜厚相等的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的固体摄像装置,其中,前述各画素在邻接的画素的光电转换部间形成有元件分离部,
前述漫射光抑制结构体在各画素的元件分离部的上部包含重新引导漫射光至该画素的导波结构体。
4.根据权利要求3所述的固体摄像装置,其中,前述导波结构体包括背侧分离部,该背侧分离部以至少在前述光电转换部的光入射部中将邻接的多个画素分离的方式,包含邻接的滤光器间而形成。
5.根据权利要求4所述的固体摄像装置,其中,前述漫射光抑制结构体包含形成于前述光电转换部的一面侧与前述滤光器的光出射面侧的间的平坦膜,
前述平坦膜形成为与前述光高吸收层的膜厚相等的厚度,
在邻接的画素间的元件分离区域中,
前述元件分离部的形成区域和前述背侧分离部的形成区域形成为隔着前述平坦膜而成为接近状态。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的固体摄像装置,在位于前述元件分离部的上部区域的光高吸收层,形成有抑制前述导波结构体中的散射特性的散射特性抑制结构体。
7.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,位于前述元件分离部的上部区域的光高吸收层包含比位于该上部区域以外的区域的光高吸收层更抑制散射特性的散射抑制部。
8.根据权利要求7所述的固体摄像装置,其中,前述光高吸收层形成为:顶部位于光入射侧,且斜面朝向前述一面侧而逐渐变宽的锥状体,
配置在前述上部区域的锤状体的斜面的倾斜角度与配置在前述上部区域以外的区域的锥状体的斜面的倾斜角度不同。
9.根据权利要求8所述的固体摄像装置,其中,配置在前述上部区域的锤状体的斜面的倾斜角度比配置在前述上部区域以外的区域的锥状体的斜面的倾斜角度更大。
10.根据权利要求7所述的固体摄像装置,在前述光高吸收层的上部区域形成有通过折射率不同的一种或多种材料而成的反射防止层,而且元件分离区域的前述反射防止层的厚度、或层结构与前述上部区域以外的区域不同。
11.根据权利要求10所述的固体摄像装置,其中,前述光高吸收层形成为:顶部位于光入射侧,且斜面朝向前述一面侧而逐渐变宽的锥状体,而且在成为光入射面的该斜面形成有反射防止层,
形成在前述上部区域的反射防止层的厚度与形成在前述上部区域以外的区域的反射防止层的厚度不同。
12.根据权利要求11所述的固体摄像装置,其中,形成于前述上部区域的反射防止层的厚度比形成于前述上部区域以外的区域的反射防止层的厚度更厚。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





