[发明专利]一种晶圆贴膜工艺优化方法

说明书

本发明公开了一种晶圆贴膜工艺优化方法，该方法将晶圆贴膜过程涉及到的参数书通过DOE矩阵设计方法设计出试验，按照该试验次序进行试验，能够获得最大寿命的工艺参数为优化后的工艺参数，通过该方法获得的工艺参数能够确保割膜刀片在寿命到节点前可以提前预警，安全余量确保设备上已上机的产品，可以安全加工完并且符合工艺质量标准，无不良品。

技术领域

本发明属于封装技术领域，具体涉及一种晶圆贴膜工艺优化方法。

背景技术

晶圆磨片是IC封装过程中必不可少的一个工艺流程，晶圆磨片通过磨片机对晶圆进行减薄厚度，晶圆在减薄或切割以前，需要在晶圆具有电路结构的一面进行贴膜，保护电路结构，但是若贴膜过程出现问题，易于使得的后续的减薄或切割过程而磨片裂片，影响产品的封装以及产品良率。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供一种晶圆贴膜工艺优化方法，以解决现有技术中因贴膜质量不佳而造成的磨片裂片的问题。

为达到上述目的，本发明采用以下技术方案予以实现：

一种晶圆贴膜工艺优化方法，包括以下步骤：

步骤1，确定晶圆贴膜过程的优化工艺参数，所述工艺参数包括黏胶型号、刀片型号、下刀速度、下刀角度和割膜刀片温度；

步骤2，通过DOE矩阵设计方法设计贴膜试验过程；

步骤3，按照DOE矩阵设计的参数进行贴膜试验；

在以任意一组参数进行贴膜时，每一次贴膜将胶膜贴在晶圆的线路表面后，刀片重复切割晶圆，获得所述组切割晶圆的安全寿命；所述安全寿命为刀片以所述组的参数切割时，切割出晶圆没有缺陷，且刀片寿命最大化；

步骤4，重复步骤3，将所有组的工艺参数试验完，选取安全寿命最大的组为优化后的工艺参数。

本发明的进一步改进在于：

优选的，步骤1中，黏胶型号的选取依据黏胶的参数，所述黏胶参数包括结构、厚度、厚度精度、粘合强度和研磨过程中晶圆的总厚度变化。

优选的，步骤1中，所述下刀速度包括100mm/s、150mm/s、200mm/s、250mm/s和300mm/s。

优选的，步骤1中，所述下刀角度包括85°、90°和95°。

优选的，步骤1中，所述割膜刀片温度包括120℃、150℃、170℃和200℃。

优选的，步骤3中，所述缺陷为晶圆边部有余膜或者是晶圆表面有膜皱。

优选的，步骤4中，根据DOE试验结果，确定刀片的使用寿命。

优选的，步骤4后，对优化后的工艺参数通过贴膜过程和减薄过程进行验证。

优选的，所述贴膜过程的验证项目包括贴膜外观和贴膜刀片寿命。

优选的，所述减薄过程的验证项目包括研磨电流值、减薄后厚度、减薄总厚度和粗糙度。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

本发明公开了一种晶圆贴膜工艺优化方法，该方法将晶圆贴膜过程涉及到的参数书通过DOE矩阵设计方法设计出试验，按照该试验次序进行试验，能够获得最大寿命的工艺参数为优化后的工艺参数。通过该方法获得的工艺参数能够确保割膜刀片在寿命到节点前可以提前预警，安全余量确保设备上已上机的产品，可以安全加工完并且符合工艺质量标准，无不良品。

附图说明

图1为本发明的贴膜过程图；

图2为本发明的晶圆边有余膜的缺陷示意图；