[发明专利]一种实现错误检查和纠正码功能的方法和装置

说明书

本发明提供一种实现错误检查和纠正码功能的方法、系统、设备和存储介质，方法包括：响应于接收到外部总线的指令，判断所述指令的类型是写指令还是读指令；响应于所述指令的类型是写指令，对所述写指令中的写地址进行编码以产生对应的DDR地址和SRAM地址；根据所述DDR地址将所述写指令中的实际数据写入DDR中；以及对所述实际数据进行计算以得到错误检查和纠正码数据，并将所述错误检查和纠正码数据写入所述SRAM地址。本发明提高了DDR内存实现ECC功能后数据的读写效率，减少了访问DDR内存所需要消耗的时间，在存储大位宽实际数据产生的ECC数据时，不会浪费存储资源，其灵活性更高，达到的效果更好。

技术领域

本领域涉及内存领域，更具体地，特别是指一种实现错误检查和纠正码功能的方法、系统、设备和存储介质。

背景技术

DDR(Double Data Rate SDRAM，双倍速率同步动态随机存储器)是内存的一种，由半导体器件制成，其特点是访问数据的速率快，是电脑及嵌入式设备中的主要数据存储部件。DDR一个时钟周期内传输两次数据，它能够在时钟的上升沿和下降沿各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。

在服务器及图形工作站等应用中通常会使用DDR内存的ECC功能，该功能可提高计算机运行的稳定性和增加数据的可靠性。

现有技术在DDR内存中实现ECC功能一般有两种方法，第一种实现方法是将DDR内存的存储区开辟出两个区域，一个区域用于存储实际的读写数据，另一个区域用于存储实际写数据经过ECC计算后所得到的ECC数据。ECC数据由实际的写入数据生成，DDR内存同时存储写入的实际数据和ECC数据，在读取操作期间，DDR内存控制器从DDR内存中读取实际数据和相应的ECC数据，内存控制器利用接收到的实际数据重新生成ECC数据，并将其与内存中读取到的ECC数据进行比较，如果两者匹配，则不会发生错误，如果不匹配，则会检查错误数据并进行修改。第二种实现方法是使用两片DDR内存，一片内存用于存储实际数据，另一片内存用于存储ECC数据。

由于第一种实现方法中一次写操作涉及到写两种数据，先写正常数据，后写ECC数据；一次读操作涉及到读两种数据，先读取实际数据，后读取ECC数据，当读取的实际数据位宽小于写入的数据位宽时，还需对ECC数据进行修改，然后再将修改后的ECC数据重新写回DDR内存当中，中间的操作异常复杂，并且会消耗大量的时间。第二种实现方法较第一种实现方法可以减少DDR内存数据读写时间，但是新增DDR内存会带来硬件成本的增加，并且会增加DDR内存外围电路的设计复杂度。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例的目的在于提出一种实现错误检查和纠正码功能的方法、系统、计算机设备及计算机可读存储介质，本发明提高了DDR内存实现ECC(ErrorCorrecting Code，错误检查和纠正码)功能后数据的读写效率，减少了访问DDR内存所需要消耗的时间；由于SRAM的位宽设计非常灵活，因此在存储大位宽实际数据产生的ECC数据时，不会浪费存储资源，其灵活性更高，达到的效果更好；可以减少芯片与DDR内存之间的信号线连接，降低了DDR内存外围电路设计的复杂度。

基于上述目的，本发明实施例的一方面提供了一种实现错误检查和纠正码功能的方法，包括如下步骤：响应于接收到外部总线的指令，判断所述指令的类型是写指令还是读指令；响应于所述指令的类型是写指令，对所述写指令中的写地址进行编码以产生对应的DDR地址和SRAM地址；根据所述DDR地址将所述写指令中的实际数据写入DDR中；以及对所述实际数据进行计算以得到错误检查和纠正码数据，并将所述错误检查和纠正码数据写入所述SRAM地址。