[发明专利]Ga2

权利要求书

1.一种大面积Ga₂O₃薄膜的制备方法，其特征在于包括：

在第一衬底上生长形成AlN层，所述AlN层能够被AlN腐蚀液蚀刻去除；

直接在所述AlN层上生长形成Ga₂O₃薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述AlN层的厚度在1nm以上；和/或，所述AlN层具有多孔结构，所述多孔结构包括分布于AlN层表面和/或内部的多个纳米孔；或者，所述AlN层包括AlN纳米线阵列；

优选的，所述AlN层的占空比为1％-99％；

优选的，所述纳米孔的孔径为1nm-1000nm，深度为1nm-10μm；

优选的，所述纳米线的直径为1nm-1000nm，高度为1nm-10μm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于包括：至少利用金属有机化合物化学气相沉积、分子束外延或氢化物气相外延法在第一衬底表面生长形成所述AlN层。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于具体包括：

将第一衬底置于生长腔室内，将生长腔室的温度调节至500℃-1500℃、压力调节至1Pa-1×10⁵Pa，向所述生长腔室内输入氮源和铝源，所述氮源、铝源的输入流量为1sccm-100slm，从而在第一衬底的表面生长形成AlN层。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于包括：至少利用金属有机化合物化学气相沉积、分子束外延或氢化物气相外延法直接在所述AlN层上生长形成Ga₂O₃薄膜；优选的，所述Ga₂O₃薄膜主要由ε氧化镓组成。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于具体包括：

将载有AlN层的第一衬底置于生长腔室内，将生长腔室的温度调节至400℃-1000℃、压力调节至1Pa-1×10⁵Pa，向所述生长腔室内输入镓源和氧源，所述镓源和氧源的输入流量为1sccm-100slm，从而在AlN层表面生长形成Ga₂O₃薄膜。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于具体包括：

将第一衬底置于生长腔室内，并在所述第一衬底的表面生长形成AlN层；

在完成AlN层的生长后，继续在所述生长腔室内进行Ga₂O₃的生长，从而在AlN层表面原位生长形成Ga₂O₃薄膜。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于还包括：以AlN腐蚀液通过湿法腐蚀方式去除所述AlN层，从而将所述氧化镓薄膜从第一衬底上整体剥离；

优选的，所述AlN腐蚀液包括四甲基氢氧化铵溶液。

9.一种大面积Ga₂O₃柔性器件的制备方法，其特征在于包括；

采用权利要求1-8中任一项所述的制备方法制备氧化镓薄膜；

制作与所述氧化镓薄膜配合的电极，从而形成Ga₂O₃柔性器件。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于还包括：先去除A1N层，从而将所述氧化镓薄膜从第一衬底上剥离，再将所述氧化镓薄膜转移至第二衬底上，之后制作与所述氧化镓薄膜配合的电极，获得Ga₂O₃柔性器件；

或者，先制作与所述氧化镓薄膜配合的电极形成器件主体结构，之后去除A1N层，从而将载有电极的氧化镓薄膜从第一衬底上剥离，再将载有电极的氧化镓薄膜转移至第二衬底上，获得Ga₂O₃柔性器件；其中，所述第二衬底为柔性衬底。