[发明专利]包括可程序化电阻器的记忆体单元与记忆体系统

权利要求书

1.一种记忆体单元，其特征在于，包括：

一第一可程序化电阻器，包括：

一第一栅极结构，电性耦接至一第一控制线；以及

一共享的源极/漏极结构；

一第二可程序化电阻器，包括：

一第二栅极结构，电性耦接至一第二控制线；以及

该共享的源极/漏极结构；以及

一晶体管，包括：

一第一源极/漏极结构，电性耦接至一位元线；

一第三栅极结构，电性耦接至一字元线；以及

一第二源极/漏极结构，该第二源极/漏极结构电性耦接至该第一可程序化电阻器的该共享的源极/漏极结构以及该第二可程序化电阻器的该第二源极/漏极结构。

2.如权利要求1所述的记忆体单元，其特征在于，进一步包含：

一绝缘结构，设置于该第一栅极结构与该第二源极/漏极结构之间，以电性隔离于该第一栅极结构与该第二源极/漏极结构之间。

3.如权利要求2所述的记忆体单元，其特征在于，进一步包含：

一介电层，设置于该第一栅极结构与该共享的源极/漏极结构之间，其中该共享的源极/漏极结构接触该介电层的一第一区域，其中该绝缘结构接触该介电层的一第二区域。

4.如权利要求3所述的记忆体单元，其特征在于，其中该介电层包括氮化钛/二氧化铪/二氧化硅。

5.如权利要求3所述的记忆体单元，其特征在于，进一步包含：

一另一介电层，该另一介电层设置于该第二栅极结构与该共享的源极/漏极结构之间。

6.如权利要求5所述的记忆体单元，其特征在于，进一步包含：

一另一绝缘结构，其中该共享的源极/漏极结构接触该另一介电层的一第一区域，其中该另一绝缘结构接触该另一介电层的一第二区域。

7.如权利要求5所述的记忆体单元，其特征在于，进一步包含：

一浮动源极/漏极结构，该浮动源极/漏极结构为电性浮动的，其中该共享的源极/漏极结构接触该另一介电层的一第一区域，其中该浮动源极/漏极结构接触该另一介电层的一第二区域。

8.如权利要求2所述的记忆体单元，其特征在于，进一步包含：

一互连金属轨，将该第二源极/漏极结构电性耦接至该共享的源极/漏极结构，其中该互连金属轨设置于该第一栅极结构及该绝缘结构上方。

9.一种记忆体系统，其特征在于，包括：

一记忆体单元，包括：

一可程序化电阻器，其包括一栅极结构以及一源极/汲极结构；以及

一控制晶体管，其耦接至该可程序化电阻器的一源极/漏极结构；以及

一记忆体控制器，耦接至该记忆体单元，该记忆体控制器用于：

对该可程序化电阻器的该栅极结构施加一第一电压，将该可程序化电阻器设定为具有一第一电阻，同时启用该控制晶体管；以及

对该可程序化电阻器的该栅极结构施加低于第一电压的一第二电压，将该可程序化电阻器设定为具有高于该第一电阻的一第二电阻，同时启用该控制晶体管。

10.一种记忆体单元，其特征在于，包括：

一第一可程序化电阻器，包括：

一第一栅极结构，电性耦接至一第一控制线；以及

一第一源极/漏极结构，电性耦接至一输出节点；

一第二可程序化电阻器，包括：

一第二栅极结构，电性耦接至一第二控制线；以及

一第二源极/漏极结构，电性耦接至该输出节点；以及

一控制晶体管，包括：

一第三源极/漏极结构，电性耦接至一位元线；

一第三栅极结构，电性耦接至一字元线的；以及

一第四源极/漏极结构，电性耦接至该输出节点。