[发明专利]存储器中感测电流的增大

说明书

本公开包含用于存储器中感测电流的增大的设备、方法及系统。实施例包含：存储器，其具有多个存储器单元；及电路系统，其经配置以对在所述存储器的操作期间对所述存储器的所述存储器单元执行的编程操作的数目进行计数及在所述编程操作数目的所述计数达到阈值计数之后增大用于感测所述存储器的所述存储器单元的数据状态的电流的量值。

技术领域

本公开大体上涉及半导体存储器及方法，且更特定来说，涉及存储器中感测电流的增大。

背景技术

存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路及/或外部可移除装置。存在许多不同类型的存储器，其包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器需要电力来维持其数据，且可尤其包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)及同步动态随机存取存储器(SDRAM)。非易失性存储器可在未供电时通过保存所存储数据来提供永久数据，且可尤其包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM)及电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻性随机存取存储器(RRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)及可编程导电存储器。

存储器装置可用作需要高存储器密度、高可靠性及低功耗的各种电子应用的易失性及非易失性存储器。非易失性存储器可用于例如个人计算机、便携式存储器棒、固态硬盘(SSD)、数码相机、蜂窝电话、例如MP3播放器的便携式音乐播放器及电影播放器及其它电子装置中。

电阻可变存储器装置可包含可基于存储元件(例如具有可变电阻的存储器元件)的电阻状态来存储数据的电阻可变存储器单元。因而，电阻可变存储器单元可经编程以通过改变存储器元件的电阻水平来存储对应于目标数据状态的数据。电阻可变存储器单元可通过在特定持续时间内将例如正或负电脉冲(例如正或负电压或电流脉冲)的电场或能量源施加到单元(例如单元的存储器元件)来编程到目标数据状态(例如对应于特定电阻状态)。电阻可变存储器单元的状态可通过感测响应于外加询问电压而通过单元的电流来确定。基于单元的电阻水平来改变的感测电流可指示单元的状态。

各种存储器阵列可经组织成交叉点架构，其中存储器单元(例如电阻可变单元)定位于用于存取单元的第一与第二信号线的相交点处(例如，在字线与位线的相交点处)。一些电阻可变存储器单元可包括与存储元件(例如相变材料、金属氧化物材料及/或可编程到不同电阻水平的一些其它材料)串联的选择元件(例如二极管、晶体管或其它开关装置)。可称为自选择存储器单元的一些电阻可变存储器单元可包括可用作存储器单元的选择元件及存储元件两者的单个材料。

发明内容

一方面，本公开提供一种设备，其包括：存储器，其具有多个存储器单元；及电路系统，其经配置以：对在所述存储器的操作期间对所述存储器的所述存储器单元执行的编程操作的数目进行计数；及在所述编程操作数目的所述计数达到阈值计数之后增大用于感测所述存储器的所述存储器单元的数据状态的电流的量值。

另一方面，本公开提供一种操作存储器的方法，其包括：对在存储器的操作期间对所述存储器的存储器单元执行的编程操作的数目进行计数；及在所述编程操作数目在多次中的每一次达到阈值计数时增大用于感测所述存储器的所述存储器单元的数据状态的电流的量值。

另一方面，本公开提供一种设备，其包括：存储器，其具有多个存储器单元；及电路系统，其经配置以：通过将第一感测电压施加到所述多个存储器单元的一部分及在施加所述第一感测电压之后将第二感测电压施加到所述多个存储器单元的所述部分来感测存储于所述多个存储器单元的所述部分中的数据；确定错误的感测到的数据的数量；及在错误数据的所述数量满足或超过阈值数量之后增大用于感测存储于所述多个存储器单元的所述部分中的所述数据的电流的量值。