[发明专利]一种Ni2-x有效

专利信息
申请号: 202110976032.5 申请日: 2021-08-24
公开(公告)号: CN113564627B 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: 宋彩霞;孙畅鸿;李东润;赵雨笛;王德宝 申请(专利权)人: 青岛科技大学
主分类号: C25B11/031 分类号: C25B11/031;C25B11/061;C25B11/091;C25B1/04;C02F1/461
代理公司: 青岛中天汇智知识产权代理有限公司 37241 代理人: 许莉
地址: 266000 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 ni base sub
【权利要求书】:

1.一种Ni2-xCoxP量子点/N,O共掺杂碳/NF电极材料的制备方法,其特征在于,所述电极材料是泡沫镍(NF)金属骨架上原位生长的Ni2-xCoxP量子点/N,O共掺杂碳复合纳米片阵列,所述复合纳米片是由多层N,O共掺杂碳超薄纳米片与嵌在碳层中的Ni2-xCoxP量子点杂化叠加而成,所述Ni2-xCoxP量子点是原位生长在碳层中的NiCoP和Ni12P5多元磷化物,所述电极材料是经前驱体原位热解、磷化反应和界面耦合一步完成的,具体包括下述步骤:

(1)将0.001-1mmol CoCl2·6H2O、0.01-2mmol四丁基氯化磷、0.1-20g尿素,在30-80℃的油浴锅中搅拌0.1-1.5h,形成均匀液体;

(2)将步骤(1)所得均匀液体,取25-100μl均匀地滴涂在1*1cm2的泡沫镍金属表面,放入瓷舟中,用铝箔包裹后再放入管式炉中,用高纯氮气置换空气,在密闭条件下,以1-8℃/min的速度加热至350-650℃,保温0.5-6h,得到Ni2-xCoxP量子点/N,O共掺杂碳/NF电极材料。

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