[发明专利]一种碳化硅材料抛光方法在审
| 申请号： | 202110968145.0 | 申请日： | 2021-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN113695989A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 董兴玉;刘民 | 申请（专利权）人： | 常州容导精密装备有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B31/00;B24B31/10;B24B31/12;B24B31/14;C09G1/02 |
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| 地址： | 213363 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 材料 抛光 方法 | ||
1.一种碳化硅材料抛光方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、将800目、1200目及1500目碳化硅微粉分别与非水溶剂混合液搅拌均匀，得到不同规格的碳化硅抛光浆；
S2、在需要抛光的碳化硅部件内部填充800目碳化硅粉制成的碳化硅微粒浆，通过搅拌器将内部的碳化硅浆进行高速旋转研磨进行粗抛，将表面杂质及附着物打磨平整；
S3、将1200目碳化硅粉制成的碳化硅浆倒入抛光部件内部，高速旋转研磨，进行中抛；
S4、将1500目碳化硅粉制成的碳化硅浆倒入抛光部件内部，高速旋转研磨，进行精抛；
S5、用金刚石粉对以上抛光后的瑕疵进行维修。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅材料抛光方法，其特征在于：所述非水溶剂包括乙二醇、丙二醇、聚乙二醇、异丙醇、甘油等中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅材料抛光方法，其特征在于：所述步骤S1中还包括氧化剂。
4.根据权利要求3所述的一种碳化硅材料抛光方法，其特征在于：所述氧化剂包括氯酸盐、高氯酸盐、无机过氧化物、硝酸盐等中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的一种碳化硅材料抛光方法，其特征在于：所述步骤S2中转速600-800r/min、步骤S3中转速600-800r/min、步骤S4中转速400-600r/min、步骤S5中转速300-500r/min。
6.根据权利要求1所述的一种碳化硅材料抛光方法，其特征在于：所述的碳化硅浆中碳化硅含量为40-55wt％。
7.根据权利要求1所述的一种碳化硅材料抛光方法，其特征在于：所述金刚石微粉粒度不大于W5。
8.根据权利要求4所述的一种碳化硅材料抛光方法，其特征在于：所述的碳化硅浆中的氧化剂摩尔浓度1-4mol/L。
9.根据权利要求1所述的一种碳化硅材料抛光方法，其特征在于：所述的搅拌器结构采用近似螺旋的扇叶形搅拌器。
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