[发明专利]方位可调整的多区域静电夹具在审
申请号: | 202110960034.5 | 申请日: | 2016-01-13 |
公开(公告)号: | CN113675115A | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 张纯磊;P·克里米诺儿;S·E·巴巴扬;D·乌尔斯特伦 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;张鑫 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 方位 可调整 区域 静电 夹具 | ||
本文所述的实施方式提供一种用于处理基板支撑组件上的基板的方法,该方法实现静电夹具与基板之间的热传递的横向与方位角两者上的调整。该方法包括下述步骤:使用ESC上的第一温度分布来处理第一基板,ESC具有主加热器与空间上可调整的加热器。从处理第一基板的结果来确定偏离目标结果分布的偏移分布。基于偏移分布,将第一温度分布调整为ESC上的第二温度分布。调整为第二温度分布包括:递增提供给对应于偏移分布的一个或更多个离散位置中的一个或更多个空间上可调整的加热器的功率。然后使用第二温度分布来处理ESC上的第二基板。
本申请是申请日为2016年1月13日、申请号为201680023970.0,题为“方位可调整的多区域静电夹具”的申请的分案申请。
技术领域
本文所述的实施方式总体上涉及半导体制造,且更具体地涉及静电夹具的实时温度控制以及使用该静电夹具的实时温度控制的方法。
背景技术
随着装置图案的特征尺寸变得更小,这些特征的临界尺寸(CD)要求变成对稳定且可重复的装置性能的更重要标准。因为腔室的不对称性,诸如腔室与基板温度、流动传导性以及RF场,所以跨处理腔室内所处理的基板的可允许的CD变化是难以达成。
在使用静电夹具的工艺中,因为基板下方的夹具的非均质架构,所以跨基板表面的温度控制的均匀性变得甚至更有挑战性。例如,静电夹具的一些区域具有气孔,而其他区域具有与气孔横向偏移的升举销孔。又其他区域具有夹持电极,而其他区域具有与夹持电极横向偏移的加热器电极。因为静电夹具的结构可在横向与方位角两者上变化,夹具与基板之间的热传递的均匀性为复杂的并且非常难以获得,从而导致跨夹具表面的局部热点与冷点,这因此导致沿着基板表面的处理结果的不均匀性。
夹具与基板之间的热传递的横向与方位角上的不均匀性由于传统的冷却板中通常使用的热传递方案而进一步复杂化,静电夹具安装至冷却板而形成基板支撑组件。例如,传统的冷却板通常仅具有边缘至中心的温度控制。另外,在生产运行时间期间,当基板移进与移出处理腔室时,冷却板的温度分布对于每个基板会有所不同。因此,当在生产运行时间使用传统的基板支座的热传递特征时,静电夹具内的局部热点与冷点会难以控制。
因此,需要改良的基板支撑组件。
发明内容
本文所述的实施方式提供一种用于处理基板支撑组件上的基板的方法与设备,该方法与设备实现静电夹具(ESC)与基板之间的热传递的横向与方位角两者上的调整。该方法包括下述步骤:使用ESC上的第一温度分布来处理第一基板,ESC具有主加热器与空间上可调整的加热器。从处理第一基板的结果来确定偏离目标结果分布的偏移分布。基于偏移分布来将第一温度分布调整为ESC上的第二温度分布。调整为第二温度分布包括下述步骤:递增提供给对应于偏移分布的一个或更多个离散位置中的一个或更多个空间上可调整的加热器的功率。然后使用第二温度分布来处理ESC上的第二基板。
附图说明
因此,为了可详细理解本发明的上述特征的方式,可参考各实施方式得到以上简要概括的本发明的更具体的描述,实施方式中的一些被描绘在所附附图中。但是,注意到,所附附图仅描绘本发明的典型实施方式且因此不视为限制其范围,因为本发明可允许其他等效实施方式。
图1为具有至少一个处理腔室的多腔室真空处理系统的示意性俯视图;
图2为详述基板支撑组件的具有空间上可调整的加热器的部分的局部剖面示意性侧视图;
图3A至图3D为描绘空间上可调整的加热器的示例布局的基板支撑组件的俯视图;
图4为适于存储与执行软件例程而其中可实施本发明的实施例的系统的一个架构的图示;
图5为根据一个实施例的用于确定空间上可调整的加热器的工艺配方的流程图;
图6为根据另一实施例的用于确定空间上可调整的加热器的工艺配方的流程图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造