[发明专利]方位可调整的多区域静电夹具在审
申请号: | 202110960034.5 | 申请日: | 2016-01-13 |
公开(公告)号: | CN113675115A | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 张纯磊;P·克里米诺儿;S·E·巴巴扬;D·乌尔斯特伦 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;张鑫 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 方位 可调整 区域 静电 夹具 | ||
1.一种处理基板支撑组件上的基板的方法,所述方法包括下述步骤:
使用基板支撑组件上的第一温度分布来处理第一基板,所述基板支撑组件具有主加热器与空间上可调整的加热器;
从处理所述第一基板的结果来确定偏移分布;
响应于所述偏移分布来控制所述空间上可调整的加热器,以在形成第二温度分布的过程中实现所述基板支撑组件的局部温度的离散的横向与方位角上的调整;及
用所述第二温度分布来处理第二基板。
2.如权利要求1所述的方法,其中确定所述偏移分布包括下述步骤:
输入数据至前馈控制器例程中,所述数据包括工艺灵敏性、目标工艺数据以及上游计量工艺数据中的至少一者或更多者;
从所输入的数据确定所需的基板温度补偿映射;及
从工艺配方与所述基板温度补偿映射来创建所述偏移分布。
3.如权利要求1所述的方法,其中确定所述偏移分布包括下述步骤:
提供第一运行计量工艺数据至迭代学习控制器例程中;
输入数据至所述迭代学习控制器例程中,所述数据包括工艺灵敏性、目标工艺数据以及所述第一运行计量工艺数据中的至少一者或更多者;
从所输入的数据确定所需的晶片温度补偿映射;及
从工艺配方与所述温度补偿映射来创建所述偏移分布。
4.如权利要求1所述的方法,其中确定所述偏移分布包括下述步骤:
提供第K次运行计量工艺数据至迭代学习控制器例程中;
输入处理数据至所述迭代学习控制器例程中,所述处理数据包括工艺灵敏性、目标工艺数据以及第K次运行计量工艺数据中的至少一者或更多者;
从所输入的数据确定所需的晶片温度补偿映射;
将工艺灵敏性、目标工艺数据以及上游计量数据输入至前馈控制器例程中;及
从工艺配方与所述温度补偿映射来创建所述偏移分布。
5.如权利要求1所述的方法,其中形成所述基板支撑组件的所述第二温度分布进一步包括下述步骤:
在处理所述第一基板的同时,相对于施加至不在跨所述基板支撑组件的工件支撑表面而分布的多个离散位置处的所述空间上可调整的加热器的功率,向在所述多个离散位置处的所述空间上可调整的加热器中的至少一些施加更多或更少的功率。
6.如权利要求1所述的方法,其中所述空间上可调整的加热器被同时供电,且其中所述空间上可调整的加热器中的至少两者具有不同的百分比功率输出。
7.如权利要求1所述的方法,进一步包括下述步骤:
在对应于具有大约100%的功率输出的空间上可调整的加热器的位置处,增加所述基板支撑组件的工件支撑表面大约5摄氏度。
8.一种存储程序的计算机可读取存储介质,所述程序当被处理器执行时执行用于处理基板支撑组件上的基板的操作,所述操作包括:
使用基板支撑组件上的第一温度分布来处理第一基板,所述基板支撑组件具有主加热器与空间上可调整的加热器;
从处理所述第一基板的结果来确定偏移分布;
响应于所述偏移分布来控制所述空间上可调整的加热器,以在形成第二温度分布的过程中实现所述基板支撑组件的局部温度的离散的横向与方位角上的调整;
用所述第二温度分布来处理第二基板。
9.如权利要求8所述的存储程序的计算机可读取存储介质,其中确定所述偏移分布包括:
输入数据至前馈控制器例程中,所述数据包括工艺灵敏性、目标工艺数据以及上游计量工艺数据中的至少一者或更多者;
从所输入的数据确定所需的基板温度补偿映射;及
从工艺配方与所述基板温度补偿映射来创建所述偏移分布。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110960034.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:储层模拟系统
- 下一篇:一种方便拆卸清理的卡波姆妇科清洗液加工用过滤装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造