[发明专利]方位可调整的多区域静电夹具在审

专利信息
申请号: 202110960034.5 申请日: 2016-01-13
公开(公告)号: CN113675115A 公开(公告)日: 2021-11-19
发明(设计)人: 张纯磊;P·克里米诺儿;S·E·巴巴扬;D·乌尔斯特伦 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/683
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 侯颖媖;张鑫
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 方位 可调整 区域 静电 夹具
【权利要求书】:

1.一种处理基板支撑组件上的基板的方法,所述方法包括下述步骤:

使用基板支撑组件上的第一温度分布来处理第一基板,所述基板支撑组件具有主加热器与空间上可调整的加热器;

从处理所述第一基板的结果来确定偏移分布;

响应于所述偏移分布来控制所述空间上可调整的加热器,以在形成第二温度分布的过程中实现所述基板支撑组件的局部温度的离散的横向与方位角上的调整;及

用所述第二温度分布来处理第二基板。

2.如权利要求1所述的方法,其中确定所述偏移分布包括下述步骤:

输入数据至前馈控制器例程中,所述数据包括工艺灵敏性、目标工艺数据以及上游计量工艺数据中的至少一者或更多者;

从所输入的数据确定所需的基板温度补偿映射;及

从工艺配方与所述基板温度补偿映射来创建所述偏移分布。

3.如权利要求1所述的方法,其中确定所述偏移分布包括下述步骤:

提供第一运行计量工艺数据至迭代学习控制器例程中;

输入数据至所述迭代学习控制器例程中,所述数据包括工艺灵敏性、目标工艺数据以及所述第一运行计量工艺数据中的至少一者或更多者;

从所输入的数据确定所需的晶片温度补偿映射;及

从工艺配方与所述温度补偿映射来创建所述偏移分布。

4.如权利要求1所述的方法,其中确定所述偏移分布包括下述步骤:

提供第K次运行计量工艺数据至迭代学习控制器例程中;

输入处理数据至所述迭代学习控制器例程中,所述处理数据包括工艺灵敏性、目标工艺数据以及第K次运行计量工艺数据中的至少一者或更多者;

从所输入的数据确定所需的晶片温度补偿映射;

将工艺灵敏性、目标工艺数据以及上游计量数据输入至前馈控制器例程中;及

从工艺配方与所述温度补偿映射来创建所述偏移分布。

5.如权利要求1所述的方法,其中形成所述基板支撑组件的所述第二温度分布进一步包括下述步骤:

在处理所述第一基板的同时,相对于施加至不在跨所述基板支撑组件的工件支撑表面而分布的多个离散位置处的所述空间上可调整的加热器的功率,向在所述多个离散位置处的所述空间上可调整的加热器中的至少一些施加更多或更少的功率。

6.如权利要求1所述的方法,其中所述空间上可调整的加热器被同时供电,且其中所述空间上可调整的加热器中的至少两者具有不同的百分比功率输出。

7.如权利要求1所述的方法,进一步包括下述步骤:

在对应于具有大约100%的功率输出的空间上可调整的加热器的位置处,增加所述基板支撑组件的工件支撑表面大约5摄氏度。

8.一种存储程序的计算机可读取存储介质,所述程序当被处理器执行时执行用于处理基板支撑组件上的基板的操作,所述操作包括:

使用基板支撑组件上的第一温度分布来处理第一基板,所述基板支撑组件具有主加热器与空间上可调整的加热器;

从处理所述第一基板的结果来确定偏移分布;

响应于所述偏移分布来控制所述空间上可调整的加热器,以在形成第二温度分布的过程中实现所述基板支撑组件的局部温度的离散的横向与方位角上的调整;

用所述第二温度分布来处理第二基板。

9.如权利要求8所述的存储程序的计算机可读取存储介质,其中确定所述偏移分布包括:

输入数据至前馈控制器例程中,所述数据包括工艺灵敏性、目标工艺数据以及上游计量工艺数据中的至少一者或更多者;

从所输入的数据确定所需的基板温度补偿映射;及

从工艺配方与所述基板温度补偿映射来创建所述偏移分布。

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