[发明专利]半导体存储装置及散热用零件在审
| 申请号: | 202110947481.7 | 申请日: | 2021-08-18 |
| 公开(公告)号: | CN115113704A | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
| 发明(设计)人: | 长泽和也;森田伴明;船山贵久;石井宪弘;田中秀典 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号: | G06F1/20 | 分类号: | G06F1/20 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 存储 装置 散热 零件 | ||
实施方式提供一种能够实现散热性提高的半导体存储装置及散热用零件。实施方式的半导体存储装置具有衬底、发热零件、电子零件及散热零件。所述散热零件具有第1部件及第2部件。所述发热零件安装在所述衬底。所述电子零件的至少一部分位于在作为所述衬底的厚度方向的第1方向上与所述发热零件的至少一部分重叠的位置。所述第1部件包含在所述第1方向上位于所述发热零件与所述电子零件之间的第1部分,且由具有第1导热率的材料形成。所述第2部件包含在所述第1方向上位于所述第1部件与所述电子零件之间的部分,且由具有比所述第1导热率小的第2导热率的材料形成。
[相关申请案]
本申请案享有以日本专利申请案2021-46831号(申请日:2021年3月22日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的所有内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置及散热用零件。
背景技术
已知一种半导体存储装置,具备衬底、安装在衬底的发热零件、及安装在衬底的电子零件。期待提高半导体存储装置的散热性。
发明内容
本发明的实施方式提供一种能够实现散热性提高的半导体存储装置及散热用零件。
实施方式的半导体存储装置具有衬底、发热零件、电子零件及散热零件。所述散热零件具有第1部件及第2部件。所述发热零件安装在所述衬底。所述电子零件的至少一部分位于在作为所述衬底的厚度方向的第1方向上与所述发热零件的至少一部分重叠的位置。所述第1部件包含在所述第1方向上位于所述发热零件与所述电子零件之间的第1部分,且由具有第1导热率的材料形成。所述第2部件包含在所述第1方向上位于所述第1部件与所述电子零件之间的部分,且由具有比所述第1导热率小的第2导热率的材料形成。
附图说明
图1是表示第1实施方式的半导体存储装置的立体图。
图2是将第1实施方式的半导体存储装置局部分解地表示的立体图。
图3是将与第1实施方式的散热盖相关的构造局部分解表示的立体图。
图4是表示第1实施方式的半导体存储装置的剖视图。
图5(a)~(e)是表示第1实施方式的散热盖的安装方法的一例的剖视图。
图6是表示第1实施方式的第1变化例的半导体存储装置的剖视图。
图7是表示第1实施方式的第2变化例的半导体存储装置的剖视图。
图8是表示第1实施方式的第3变化例的半导体存储装置的剖视图。
图9是表示第1实施方式的第4变化例的半导体存储装置的剖视图。
图10是表示第1实施方式的第4变化例的半导体存储装置的剖视图。
图11是表示第1实施方式的第5变化例的半导体存储装置的剖视图。
图12是表示第2实施方式的半导体存储装置的剖视图。
图13是从另一方向观察第2实施方式的半导体存储装置的剖视图。
图14是表示第2实施方式的变化例的半导体存储装置的剖视图。
图15是表示第3实施方式的半导体存储装置的剖视图。
具体实施方式
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