[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202110941875.1 | 申请日: | 2021-08-17 |
公开(公告)号: | CN114203762A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 赵宰卨;柳春基 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 梁洪源;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
包括显示区域和焊盘区域的基板;
在所述显示区域中、所述基板上的下电极,所述下电极包括:
相对于蚀刻工艺具有第一蚀刻速率的第一电极,
在所述第一电极上的第二电极,所述第二电极相对于所述蚀刻工艺具有高于所述第一蚀刻速率的第二蚀刻速率,以及
在所述第二电极上的第三电极,所述第三电极相对于所述蚀刻工艺具有低于所述第二蚀刻速率且高于所述第一蚀刻速率的第三蚀刻速率;
在所述下电极上的发光层;
在所述发光层上的上电极;以及
在所述焊盘区域中、所述基板上的焊盘电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一电极包括钛,
其中,所述第二电极包括银,并且
其中,所述第三电极包括铟锡氧化物。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置,其中,所述焊盘电极包括:
相对于所述蚀刻工艺具有第四蚀刻速率的第一金属层;
在所述第一金属层上的第二金属层,所述第二金属层相对于所述蚀刻工艺具有高于所述第四蚀刻速率的第五蚀刻速率;以及
在所述第二金属层上的第三金属层。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述第四蚀刻速率等于所述第一蚀刻速率。
5.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述第三金属层相对于所述蚀刻工艺具有高于所述第四蚀刻速率的第六蚀刻速率,并且
其中,所述第六蚀刻速率等于所述第三蚀刻速率。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第一金属层包括钛,
其中,所述第二金属层包括铜,并且
其中,所述第三金属层包括铟锡氧化物。
7.根据权利要求1或2所述的显示装置,进一步包括:
在所述显示区域和所述焊盘区域中、所述基板和所述下电极之间的保护绝缘层;以及
在所述基板和所述下电极之间的平坦化层。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述保护绝缘层暴露所述焊盘电极的顶表面的一部分。
9.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述平坦化层包括在从所述基板到所述下电极的方向上突出的突起,并且
其中,所述下电极在所述突起上。
10.根据权利要求1或2所述的显示装置,进一步包括:
在所述基板和所述下电极之间的半导体元件;以及
在所述半导体元件和所述基板之间的屏蔽金属层,
其中,所述半导体元件包括金属氧化物半导体层,并且所述屏蔽金属层与所述金属氧化物半导体层重叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的