[发明专利]有机发光二极管像素结构及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管像素结构，其特征在于，所述有机发光二极管像素结构包括像素电路层，所述像素电路层包括：

第一走线；

存储电容，包括下极板与上极板，其中，所述下极板与所述第一走线同层设置；以及

绝缘层，覆盖所述第一走线与所述下极板，其中，所述第一走线的一侧具有多个间隔设置的凸部。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管像素结构，其特征在于，

所述第一走线的另一侧具有多个间隔设置的凸部。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管像素结构，其特征在于，

所述第一走线连续弯折设置以形成所述第一走线的一侧的所述多个凸部及所述第一走线的另一侧的所述多个凸部。

4.根据权利要求2所述的有机发光二极管像素结构，其特征在于，

所述第一走线的一侧的所述多个凸部与所述第一走线的另一侧的所述多个凸部相对设置。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管像素结构，其特征在于，所述像素电路层还包括：

第二走线，其一侧具有多个间隔设置的凸部。

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管像素结构，其特征在于，

所述第二走线的另一侧具有多个间隔设置的凸部。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管像素结构，其特征在于，

所述第二走线弯折设置以形成所述第二走线的一侧的所述多个凸部及所述第二走线的另一侧的所述多个凸部。

8.根据权利要求6所述的有机发光二极管像素结构，其特征在于，

所述第二走线的一侧的所述多个凸部与所述第二走线的另一侧的所述多个凸部相对设置。

9.根据权利要求6所述的有机发光二极管像素结构，其特征在于，

所述像素电路层的上极板用以做为发光二极管的阳极；

所述有机发光二极管像素结构还包括：

像素定义层，设于所述阳极上，其中所述像素定义层设置开口用以暴露出所述阳极；

发光功能层，设置于所述阳极上；以及

阴极层，设置于所述发光功能层及所述像素定义层上。

10.一种有机发光二极管像素结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

在基板上制备像素电路层，其中，所述像素电路层包括第一走线与存储电容，所述第一走线的一侧具有多个间隔设置的凸部；

在所述存储电容的上极板上设置像素定义层，其中，所述上极板用以做为发光二极管的阳极；

图案化所述像素定义层以形成开口暴露所述阳极；

以喷墨法于所述开口中打印发光功能层；

在所述发光功能层及所述像素定义层上沉积阴极。