[发明专利]量子点发光器件及其制备方法

说明书

本申请提供一种量子点发光器件，属于量子点发光技术领域。该量子点发光器件的空穴传输层包括空穴传输材料主体以及Cu(I)‑卤代配合物，Cu(I)‑卤代配合物分散于空穴传输材料主体中。量子点发光器件的制备方法包括在形成空穴传输层时，将Cu(I)‑卤代配合物分散于空穴传输材料主体的原料中。能够有效提高量子点发光器件的发光效率。

技术领域

本申请涉及量子点发光技术领域，具体而言，涉及一种量子点发光器件及其制备方法。

背景技术

在显示材料领域，量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)由于其自身高色阈、高亮度和窄峰宽的特点，在平板显示和固态照明等领域都有着广泛的应用前景。

在量子点发光器件的工作中，主要包括载流子注入、载流子传输、激子的形成与复合等过程。器件发光效率是量子点发光器件的重要指标，目前的量子点发光器件，电子传输层的传输性能通常远高于空穴传输层，使得器件整体的电荷传输不平衡，从而限制了器件的发光效率。

发明内容

本申请的目的在于提供一种量子点发光器件及其制备方法，能够有效提高量子点发光器件的发光效率。

本申请的实施例是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供一种量子点发光器件，该量子点发光器件的空穴传输层包括：空穴传输材料主体以及Cu(I)-卤代配合物；Cu(I)-卤代配合物分散于空穴传输材料主体中。

第二方面，本申请实施例提供一种如第一方面实施例提供的量子点发光器件的制备方法，该制备方法包括在形成空穴传输层时，将Cu(I)-卤代配合物分散于空穴传输材料主体的原料中。

本申请实施例提供的量子点发光器件及其制备方法，有益效果包括：

本申请的量子点发光器件，在空穴传输层中分散有Cu(I)-卤代配合物，促进过剩电子进入到空穴传输层中分散的Cu(I)-卤代配合物中并与空穴复合形成激子。过剩电子与Cu(I)-卤代配合物的复合，有利于减少空穴传输层和量子点发光层之间的界面电荷堆积，使得电荷传输更平衡；激子的形成还有利于通过能量转移的形成将能量传递到量子点发光层，因此能够有效提高量子点发光器件的发光效率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请实施例提供的一种量子点发光器件的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的量子点发光器件的封装结构示意图；

图3为本申请实施例提供的一种量子点发光器件的制备工艺的部分流程示意图。

图标：100-量子点发光器件；110-阳极；120-空穴注入层；130-空穴传输层；140-量子点发光层；150-电子传输层；160-阴极；200-封装胶。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。

需要说明的是，本申请中的“和/或”，如“特征1和/或特征2”，均是指可以单独地为“特征1”、单独地为“特征2”、“特征1”加“特征2”，该三种情况。