[发明专利]量子点发光器件及其制备方法在审
| 申请号: | 202110930098.0 | 申请日: | 2021-08-13 | 
| 公开(公告)号: | CN113644213A | 公开(公告)日: | 2021-11-12 | 
| 发明(设计)人: | 蒋畅 | 申请(专利权)人: | 合肥福纳科技有限公司 | 
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 | 
| 代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 唐菲 | 
| 地址: | 230000 安徽省合肥市新站*** | 国省代码: | 安徽;34 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 量子 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种量子点发光器件,其特征在于,所述量子点发光器件的空穴传输层包括:
空穴传输材料主体;以及
Cu(I)-卤代配合物,分散于所述空穴传输材料主体中。
2.根据权利要求1所述的量子点发光器件,其特征在于,所述Cu(I)-卤代配合物为中性配合物,和/或,所述Cu(I)-卤代配合物中的卤素为Cl、Br或者I。
3.根据权利要求1所述的量子点发光器件,其特征在于,所述Cu(I)-卤代配合物与所述空穴传输材料主体的质量比为(1~10):100。
4.根据权利要求1~3任一项所述的量子点发光器件,其特征在于,所述空穴传输材料主体的材料为NPB、NDDP、TTP、PVK、TAPC、TPD、DMFL-NPB、HMTPD、PAPB、2-TNATA、p-DPA-TDAB、TQTPA、Spiro-NPB、Spiro-BPA、Spiro-TAD、NPBAPF、TcTa和2-2'-Spiro-DBP中的一种或多种;
可选地,所述空穴传输材料主体的材料为PVK。
5.根据权利要求1~3任一项所述的量子点发光器件,其特征在于,所述量子点发光器件的量子点发光层的量子点材料为无镉量子点;
可选地,所述无镉量子点为ZnSe、ZnS、ZnTe、InP、InAs、CuInS2、AgInS2、C、Si和Ge中的一种或多种。
6.一种如权利要求1~5任一项所述的量子点发光器件的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括在形成所述空穴传输层时,将所述Cu(I)-卤代配合物分散于所述空穴传输材料主体的原料中。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述将所述Cu(I)-卤代配合物分散于所述空穴传输材料主体的原料中,包括:将所述Cu(I)-卤代配合物配制成第一溶液,将所述空穴传输材料主体的原料配制成第二溶液,然后将所述第一溶液和所述第二溶液混合。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述第一溶液的溶剂为石油醚、乙醚、正丁醚、辛烷、正己烷、甲苯、氯苯、氯仿、二氯甲烷和氯苯中的一种或多种;
可选地,所述第一溶液的溶剂为二氯甲烷。
9.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述第二溶液的溶剂为石油醚、乙醚、正丁醚、辛烷、正己烷、甲苯、氯苯、氯仿、二氯甲烷和氯苯中的一种或多种;
可选地,所述第二溶液的溶剂为氯苯。
10.根据权利要求7~9任一项所述的制备方法,其特征在于,所述第一溶液中,所述Cu(I)-卤代配合物的浓度为0.01~10mg/mL,和/或,所述第二溶液中,所述空穴传输材料主体的原料的浓度为5~100mg/mL;
可选地,所述第一溶液和所述第二溶液的体积比为(0.1~200):100。
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