[发明专利]制造电子装置的方法在审
申请号: | 202110919883.6 | 申请日: | 2021-08-11 |
公开(公告)号: | CN115706015A | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
发明(设计)人: | 吴湲琳;蔡宗翰;陈嘉源;李冠锋 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L27/15;G09F9/30 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 电子 装置 方法 | ||
1.一种制造电子装置的方法,其特征在于,包括:
提供一基底层;
在该基底层上形成一图案化电路层,该图案化电路层具有一第一开口;
将一电子元件放置在该图案化电路层上;以及
图案化该基底层,以形成与该第一开口至少部分重叠的一第二开口;
其中放置该电子元件的步骤是在形成该图案化电路层的步骤之后所进行。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,图案化该基底层的步骤是在放置该电子元件的步骤之后所进行。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,形成该图案化电路层的步骤包括:
在该基底层上形成一绝缘层;
在该绝缘层上形成一图案化导电层;以及
在形成该图案化导电层的步骤之后,图案化该绝缘层,以形成该第一开口的至少一部分。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,该绝缘层与该基底层是通过不同的制程以图案化。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,该绝缘层是通过蚀刻制程以图案化,且该基底层是通过激光钻孔制程以图案化。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,形成该图案化电路层的步骤包括:
在该基底层上形成一绝缘层;
图案化该绝缘层,以形成该第一开口的至少一部分;以及
在图案化该绝缘层的步骤之后,形成一图案化导电层。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,该绝缘层与该基底层是通过不同的制程以图案化。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,该绝缘层是通过蚀刻制程以图案化,且该基底层是通过激光钻孔制程以图案化。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在图案化该基底层的步骤之前,还包括在该电子元件上形成一第一封装层。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,该第一封装层还覆盖该第一开口的侧壁。
11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括在该第一开口中填充一弹性材料。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,图案化该基底层的步骤是在于该第一开口中填充该弹性材料的步骤之后所进行。
13.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在图案化该基底层的步骤之后,还包括在该第一开口及该第二开口中填充一弹性材料。
14.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在图案化该基底层的步骤之后,还包括在该电子元件上及该第一开口与该第二开口的侧壁上形成一第二封装层。
15.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
提供一载板;
将该基底层贴附到该载板上;
将该载板和该基底层整体翻转;
移除该载板;以及
将一弹性基板贴附到该基底层下方。
16.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,该第一开口与该第二开口连通。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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