[发明专利]一种便于安装的电子信息传输装置

权利要求书

1.一种便于安装的电子信息传输装置的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤(1)：提供第一承载衬底，在所述第一承载衬底上设置第一半导体管芯，所述第一半导体管芯包括有源面和与所述有源面相对的非有源面，其中，所述第一半导体管芯的有源面朝向所述第一承载衬底；

步骤(2)：对所述第一半导体管芯的非有源面进行刻蚀处理，以形成多个平行排列的第一凹槽，相邻两个所述第一凹槽之间为一第一凸起；

步骤(3)：接着在所述第一半导体管芯的非有源面共形的形成第一键合层；

步骤(4)：提供第二承载衬底，在所述第二承载衬底上设置第二半导体管芯，所述第二半导体管芯包括有源面和与所述有源面相对的非有源面，其中，所述第二半导体管芯的有源面朝向所述第二承载衬底；

步骤(5)：对所述第二半导体管芯的非有源面进行刻蚀处理，以形成多个平行排列的第二凹槽，相邻两个所述第二凹槽之间为一第二凸起，其中所述第一凹槽与所述第二凸起对应设置，所述第二凹槽与所述第一凸起对应设置；

步骤(6)：接着在所述第二半导体管芯的非有源面共形的形成第二键合层；

步骤(7)：接着将所述第二半导体管芯的非有源面键合至所述第一半导体管芯的非有源面，使得每个所述第一凸起嵌入到相应的第二凹槽中，且使得每个所述第二凸起嵌入到相应的第一凹槽中，接着去除所述第二承载衬底；

步骤(8)：接着在所述第一承载衬底上形成第一牺牲层，所述第一牺牲层仅覆盖所述第一半导体管芯的一部分，接着在所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯键合处的侧面上形成一环形沟槽；

步骤(9)：接着形成一金属散热构件，所述金属散热构件填满所述环形沟槽且突出于所述第一、第二半导体管芯键合处的侧面；

步骤(10)：接着去除所述第一牺牲层，接着形成一模塑化合物层，所述模塑化合物层包裹所述第一、第二半导体管芯，且所述金属散热构件从所述模塑化合物层的侧面露出，接着去除所述第一承载衬底，以得到封装模块；

步骤(11)：接着提供一电路基板，在所述电路基板上设置多个所述步骤(10)所制备的封装模块，接着形成一封装层，所述封装层包裹多个所述封装模块，接着在所述封装层中形成多个第三凹槽和多个第四凹槽，其中，每个所所述第三凹槽暴露与该第三凹槽相邻的所述封装模块中的所述金属散热构件，接着在所述第三凹槽中沉积金属材料以形成导热块，并在所述第四凹槽中沉积金属材料以形成导电块；

步骤(12)：接着在所述封装层上形成一重新布线层，所述重新布线层将每个所述导电块和每个所述封装模块中的所述第二半导体管芯电引出。

2.根据权利要求1所述的便于安装的电子信息传输装置的制备方法，其特征在于：在所述步骤(1)和步骤(4)中，所述第一承载衬底和所述第二承载衬底均包括陶瓷衬底、单晶硅衬底、多晶硅衬底、钢化玻璃衬底、蓝宝石衬底、铜衬底、铝衬底或不锈钢衬底中的一种，在所述第一、第二承载衬底上设置分别第一、第二半导体管芯之前，分别在所述第一、第二承载衬底上设置一粘附层。

3.根据权利要求1所述的便于安装的电子信息传输装置的制备方法，其特征在于：在所述步骤(2)和步骤(5)中，对所述第一、第二半导体管芯的非有源面进行湿法刻蚀刻蚀处理或干法刻蚀处理，所述第一凹槽的宽度比所述第二凸起的宽度大3-8微米，所述第一凹槽的深度比所述第二凸起的高度大2-5微米，所述第二凹槽的宽度比所述第一凸起的宽度大3-8微米。

4.根据权利要求1所述的便于安装的电子信息传输装置的制备方法，其特征在于：在所述步骤(3)和步骤(6)中，所述第一、第二键合层的材质为有机键合材料或金属键合材料。

5.根据权利要求1所述的便于安装的电子信息传输装置的制备方法，其特征在于：在所述步骤(8)中，所述第一牺牲层的厚度与所述第一半导体管芯的厚度的比值为0.2-0.4，通过激光刻蚀工艺或机械切割工艺形成所述环形沟槽，所述环形凹槽的高度大于所述第一凹槽的深度。

6.根据权利要求1所述的便于安装的电子信息传输装置的制备方法，其特征在于：在所述步骤(9)中，所述金属散热构件突出于所述第一、第二半导体管芯键合处的侧面的部分的宽度与所述金属散热构件的宽度的比值为0.2-0.5。