[发明专利]鳍的制备方法、鳍式场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种鳍的制备方法，其特征在于，包括：

在半导体基底上形成若干个以预设间距平行布置的多晶硅层；

对每个所述多晶硅层的侧壁进行氧化，并在每个所述多晶硅层的侧壁形成自侧壁的外表面向内延伸预设厚度的氧化层；

去除剩余的所述多晶硅层；以所述氧化层为掩膜，刻蚀所述半导体基底形成鳍；所述鳍的关键尺寸根据所述氧化层的厚度调整；

去除预留在所述鳍上的氧化层。

2.根据权利要求1所述的鳍的制备方法，其特征在于，在所述半导体基底上形成若干个以预设间距平行布置的多晶硅层之前还包括：

在所述半导体基底用于形成多晶硅层的表面上形成保护层，所述保护层包括二氧化硅层。

3.根据权利要求1所述的鳍的制备方法，其特征在于，在所述半导体基底上形成若干个以预设间距平行布置的多晶硅层的步骤中，每个所述多晶硅层中远离半导体基底的表面均包括有阻挡层。

4.根据权利要求1所述的鳍的制备方法，其特征在于，所述对每个多晶硅层的侧壁进行氧化，并在每个所述多晶硅层的侧壁形成自侧壁的外表面向内延伸预设厚度的氧化层包括：

采用原位水汽氧化工艺对每个所述多晶硅层的侧壁进行氧化；

根据鳍的目标关键尺寸调整所述原位水汽氧化工艺的参数，并在每个所述多晶硅层的侧壁形成自侧壁的外表面向内延伸预设厚度的氧化层。

5.根据权利要求4所述的鳍的制备方法，其特征在于，每个所述多晶硅层侧壁处的氧化层的厚度相同；每个所述多晶硅层侧壁处的氧化层的高度相同，且大于所述多晶硅层的高度。

6.根据权利要求4所述的鳍的制备方法，其特征在于，所述氧化层的厚度等于所述鳍的目标关键尺寸。

7.根据权利要求4所述的鳍的制备方法，其特征在于，所述鳍的目标关键尺寸为1～2nm；或者，所述鳍的目标关键尺寸为2～10nm；或者，所述鳍的目标关键尺寸为10～15nm。

8.根据权利要求4所述的鳍的制备方法，其特征在于，所述原位水汽氧化工艺的参数包括氧化温度、氧化时间以及水汽含量。

9.根据权利要求4所述的鳍的制备方法，其特征在于，所述氧化层中远离半导体基底的表面平行于所述半导体基底，且所述氧化层的侧壁为垂直侧壁。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的鳍的制备方法，其特征在于，所述鳍的侧壁为垂直侧壁，且位于不同位置的所述鳍的高度相同。

11.根据权利要求1所述的鳍的制备方法，其特征在于，所述阻挡层包括氮化硅。

12.根据权利要求1所述的鳍的制备方法，其特征在于，所述半导体基底包括单晶硅衬底或者绝缘体上硅(SOI)衬底。

13.一种鳍式场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在半导体基底上形成鳍，所述鳍采用如权利要求1～12中任一项所述的鳍的制备方法制成；相邻鳍之间包括有沟槽；

在相邻鳍之间的所述沟槽处形成沟槽隔离层，所述沟槽隔离层的高度小于所述鳍的高度；

在所述沟槽隔离层上形成堆叠结构，所述堆叠结构的延伸方向平行于所述鳍的排列方向，且所述堆叠结构超出所述鳍预定高度；

在所述堆叠结构相对两侧的所述鳍上形成应变层；

去除所述堆叠结构，并在所述沟槽隔离层上形成栅极堆叠件，所述栅极堆叠件的延伸方向平行于所述鳍的排列方向，且所述栅极堆叠件超出所述鳍预定高度。

14.一种鳍式场效应晶体管，其特征在于，所述鳍式场效应晶体管采用如权利要求13所述的鳍式场效应晶体管的制备方法制成。