[发明专利]倒装LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的外延层，所述外延层包括依次层叠的N型半导体层、有源层和P型半导体层，且所述外延层中具有裸露出所述N型半导体层的N型凹槽；

位于所述P型半导体层上的金属反射层，且所述金属反射层中具有若干金属层通孔，所述金属层通孔裸露出所述P型半导体层；

位于所述金属反射层上的绝缘反射层，且所述绝缘反射层还填充所述金属层通孔，以及覆盖所述N型凹槽的侧壁，以使所述绝缘反射层与所述P型半导体层接触；

位于所述绝缘反射层上的焊接金属层，所述焊接金属层包括N型焊接金属层和与所述N型焊接金属层相隔离的P型焊接金属层，所述N型焊接金属层与所述N型半导体层电连接，所述P型焊接金属层与所述P型半导体层电连接。

2.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述N型凹槽包括位于所述外延层的边缘位置的N型划片凹槽和位于所述N型划片凹槽内侧的N型通孔凹槽。

3.如权利要求2所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述外延层的边缘位置还具有裸露出所述衬底的隔离凹槽，所述隔离凹槽与所述N型划片凹槽连通。

4.如权利要求2所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述绝缘反射层中还具有绝缘层N型通孔，所述绝缘层N型通孔与所述N型通孔凹槽的位置对应，且所述绝缘层N型通孔的直径尺寸小于所述N型通孔凹槽，以使所述绝缘反射层覆盖所述N型通孔凹槽的侧壁。

5.如权利要求4所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述绝缘反射层与所述焊接金属层之间还具有：

位于所述绝缘反射层上的N型金属层，所述N型金属层还填充所述绝缘层N型通孔，且所述N型金属层中还具有裸露出所述绝缘反射层的金属层凹槽；

位于所述N型金属层上的绝缘介质层，所述绝缘介质层还填充所述金属层凹槽，且所述绝缘介质层中还具有裸露出所述金属反射层和N型金属层的介质层凹槽，所述N型焊接金属层覆盖部分所述绝缘介质层和所述N型金属层，所述P型焊接金属层覆盖部分所述绝缘介质层和所述金属反射层。

6.如权利要求5所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述介质层凹槽包括第一介质层凹槽和第二介质层凹槽，其中，所述第一介质层凹槽贯穿所述绝缘介质层和所述绝缘反射层并裸露出所述金属反射层，所述第一介质层凹槽位于所述金属层凹槽对应的位置中；所述第二介质层凹槽裸露出所述N型金属层。

7.如权利要求5所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述绝缘介质层的材质包括氮化硅、二氧化硅、二氧化钛以及氧化铝中的至少一种。

8.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述金属层通孔的直径为1μm～20μm。

9.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述金属反射层包括依次层叠的金属接触层、金属阻挡层和金属刻蚀层。

10.如权利要求9所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述金属接触层的材质包括银以及铝中的至少一种。

11.如权利要求9所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述金属刻蚀层由钛、铂、金、镍以及铝中的至少两种金属层叠形成。

12.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述绝缘反射层为多层结构，且所述绝缘反射层由氧化硅、氧化钛、氧化铝、氮化硅以及氧化锌中的至少两种材质交替层叠构成。

13.如权利要求12所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述绝缘反射层的层数为5～61，所述绝缘反射层的厚度为0.5μm～4μm。