[发明专利]n-i结构钙钛矿基X光探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种n-i结构钙钛矿基X光探测器，其特征在于，所述n-i结构钙钛矿基X光探测器包括叠层贴合设置的n型钙钛矿功能层和i型钙钛矿活性层；所述n型钙钛矿功能层中包含APbBr₃钙钛矿材料，所述i型钙钛矿活性层中包含A’PbI₃钙钛矿材料，其中，A和A’分别独立的选自碱金属离子或者有机铵离子。

2.如权利要求1所述的n-i结构钙钛矿基X光探测器，其特征在于，所述有机铵离子包括：CH₃NH₃⁺、CH₂(NH₃)₂⁺中的至少一种；

和/或，所述碱金属离子包括：Cs⁺、Rb⁺中的至少一种。

3.如权利要求2所述的n-i结构钙钛矿基X光探测器，其特征在于，所述A和所述A’分别独立的选自：CH₃NH₃⁺、CH₂(NH₃)₂⁺、Cs⁺或者Cs⁺和Rb⁺。

4.如权利要求1～3任一项所述的n-i结构钙钛矿基X光探测器，其特征在于，所述n型钙钛矿功能层的厚度为15～25μm；

和/或，所述i型钙钛矿活性层的厚度为100～1000μm。

5.一种n-i结构钙钛矿基X光探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

获取导电基底，在所述导电基底表面制备第一功能层；

在所述第一功能层背离所述导电基底的表面制备第二功能层；

在所述第二功能层背离所述第一功能层的表面制备背电极，得到n-i结构钙钛矿基X光探测器；

其中，所述第一功能层和所述第二功能层不同，分别为n型钙钛矿功能层或i型钙钛矿活性层，所述n型钙钛矿功能层中包含APbBr₃钙钛矿材料，所述i型钙钛矿活性层中包含A’PbI₃钙钛矿材料，其中，A和A’分别独立的选自碱金属离子或者有机铵离子。

6.如权利要求5所述的n-i结构钙钛矿基X光探测器的制备方法，其特征在于，所述第一功能层为所述n型钙钛矿功能层，制备所述n型钙钛矿功能层的步骤包括：将溴化铵盐或者溴化碱金属盐与溴化铅、表面活性剂和第一有机试剂混合处理，得到第一钙钛矿溶液；

将所述第一钙钛矿溶液沉积在所述导电基底表面，进行第一次干燥退火，形成所述n型钙钛矿功能层。

7.如权利要求6所述的n-i结构钙钛矿基X光探测器的制备方法，其特征在于，所述第二功能层为所述i型钙钛矿功能层，制备所述i型钙钛矿功能层的步骤包括：将碘化铵盐或者碘化碱金属盐与碘化铅、导电高分子粘合剂和第二有机试剂混合处理，得到第二钙钛矿浆料；

将所述第二钙钛矿浆料沉积在所述第一功能层表面，进行第二次干燥退火，形成所述i型钙钛矿功能层。