[发明专利]一种近眼微显示器及其制备方法

权利要求书

1.一种近眼微显示器制备方法，其特征在于：所述的近眼微显示器制备方法的制备步骤为：

S1.在硅片(1)上制备驱动电路(2)；

S2.介质层(3)沉积，介质层(3)选用氧化硅或氮化硅或氮氧化硅；

S3.介质层(3)离子束刻蚀(ion beam etch)制备曲面，通过改变离子束扫描方向、速度、气体配比、流量、功率，刻蚀出凹面层(4)或凸面层(5)，凹面层(4)刻蚀时，随离子束扫描，中间扫描速度变慢或中间气体流量或功率加大，增加中间刻蚀量，形成凹面层(4)。

2.根据权利要求1所述的近眼微显示器制备方法，其特征在于：所述的近眼微显示器制备方法还包括导通孔光刻步骤。

3.根据权利要求2所述的近眼微显示器制备方法，其特征在于：所述的近眼微显示器制备方法还包括导通孔刻蚀和剥离步骤，用来导通阳极(6)和驱动电路(2)。

4.根据权利要求3所述的近眼微显示器制备方法，其特征在于：所述的近眼微显示器制备方法还包括阳极(6)沉积和阳极(6)光刻步骤、阳极(6)刻蚀和剥离步骤。

5.根据权利要求4所述的近眼微显示器制备方法，其特征在于：所述的近眼微显示器制备方法还包括有机发光层(7)和阴极(8)蒸镀。

6.根据权利要求5所述的近眼微显示器制备方法，其特征在于：所述的近眼微显示器制备方法还包括薄膜封装层(9)沉积。

7.一种近眼微显示器，其特征在于：所述的近眼微显示器包括硅片(1)、驱动电路(2)、介质层(3)、凹面层(4)或凸面层(5)、阳极(6)、有机发光层(7)、阴极(8)、薄膜封装层(9)。

8.根据权利要求1所述的近眼微显示器，其特征在于：所述的在硅片(1)上制备驱动电路(2)，驱动电路(2)上沉积介质层(3)，介质层(3)选用氧化硅或氮化硅或氮氧化硅。

9.根据权利要求8所述的近眼微显示器，其特征在于：所述的介质层(3)离子束刻蚀形成凹面层(4)或凸面层(5)，凹面层(4)或凸面层(5)上依次设置阳极(6)、有机发光层(7)。

10.根据权利要求9所述的近眼微显示器，其特征在于：所述的有机发光层(7)上依次设置阴极(8)、薄膜封装层(9)。