[发明专利]一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法

说明书

本发明公开了一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，包括以下份数的原材料：二乙基己酸铟30‑50份、四氧化锡20‑40份、有机盐20‑50份、成膜剂2‑8份、稳定剂2‑6份，包括以下步骤：S1：先将二乙基己酸铟、四氧化锡和有机盐各放置在一个容器中并进行加热；S2：然后将二乙基己酸铟、四氧化锡和有机盐产生的气体引流到一个反应室内；S3：在反应室内放置基板，气体在基板上成胶体；S4：然后在胶体上加入成膜剂和稳定剂制成ITO薄膜；S5：将基板上的ITO薄膜取出进行干燥处理；S6：最后对ITO薄膜进行退火处理，本发明通过在现有化学气相沉积法的基础上添加成膜剂和稳定剂，可与有效的提高使用化学气相沉积法生产出ITO薄膜的成膜性和稳定性。

技术领域

本发明涉及ITO薄膜技术领域，尤其涉及一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法。

背景技术

ITO薄膜是一种n型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。它是液晶显示器、等离子显示器、电致发光显示器、触摸屏、太阳能电池以及其他电子仪表的透明电极最常用的薄膜材料。

现有的ITO薄膜的制作方法有多种，分别为磁控溅射法、化学气相沉积法、喷雾分解法、凝胶法和水热法，当ITO薄膜采用化学气相沉积法时，ITO薄膜的成膜效果差，因此，我们提出一种大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，用于解决上述问题

发明内容

基于背景技术存在ITO薄膜采用化学气相沉积法时，ITO薄膜的成膜效果差的技术问题，本发明提出了一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法。

本发明提出的一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，包括以下份数的原材料：二乙基己酸铟30-50份、四氧化锡20-40份、有机盐20-50份、成膜剂2-8份、稳定剂2-6份。

优选地，包括以下步骤：

S1：先将二乙基己酸铟、四氧化锡和有机盐各放置在一个容器中并进行加热；

S2：然后将二乙基己酸铟、四氧化锡和有机盐产生的气体引流到一个反应室内；

S3：在反应室内放置基板，气体在基板上成胶体；

S4：然后在胶体上加入成膜剂和稳定剂制成ITO薄膜；

S5：将基板上的ITO薄膜取出进行干燥处理；

S6：最后对ITO薄膜进行退火处理。

优选地，所述二乙基己酸铟与四氧化锡的比例为2:1.5。

优选地，S1步骤中二乙基己酸铟的容器温度为250-300摄氏度，四氧化锡的容器温度为300-350摄氏度，有机盐的容器温度为220-280摄氏度。

优选地，S3步骤中基板的具体材料为硼硅玻璃板，采用外置电炉加热，加热温度为380-420摄氏度。

优选地，S4步骤中成膜剂配比为1-4:2-5:4-8的丙烯酸酯、丙烯腈和丙烯酰胺混合制成，稳定剂配比为2-6:1-7:3-9的钙皂、季戊四醇和亚磷酸盐混合制成。

优选地，S5步骤中的干燥温度为180-280摄氏度，干燥处理时间为1.5-3小时。

优选地，S6步骤中的退火处理的温度为260-320摄氏度，退火处理的时间为8-10分钟，退火处理的方式为微波烧结，其处理过程中的保护气体为氢气。

本发明的有益效果：

1、成膜剂可有效的提高ITO薄膜和基板的黏附性以及感光层的光化学反应速度，有利于ITO薄膜在基板上形成固着的膜层；

2、通过添加稳定剂，稳定剂可有效的减慢反应,保持化学平衡,降低表面张力,防止光、热分解或氧化分解等作用；