[发明专利]一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法

权利要求书

1.一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，其特征在于，包括以下份数的原材料：二乙基己酸铟30-50份、四氧化锡20-40份、有机盐20-50份、成膜剂2-8份、稳定剂2-6份。

2.根据权利要求1所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：先将二乙基己酸铟、四氧化锡和有机盐各放置在一个容器中并进行加热；

S2：然后将二乙基己酸铟、四氧化锡和有机盐产生的气体引流到一个反应室内；

S3：在反应室内放置基板，气体在基板上成胶体；

S4：然后在胶体上加入成膜剂和稳定剂制成ITO薄膜；

S5：将基板上的ITO薄膜取出进行干燥处理；

S6：最后对ITO薄膜进行退火处理。

3.根据权利要求1所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，其特征在于，所述二乙基己酸铟与四氧化锡的比例为2:1.5。

4.根据权利要求2所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，其特征在于，S1步骤中二乙基己酸铟的容器温度为250-300摄氏度，四氧化锡的容器温度为300-350摄氏度，有机盐的容器温度为220-280摄氏度。

5.根据权利要求2所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，其特征在于，S3步骤中基板的具体材料为硼硅玻璃板，采用外置电炉加热，加热温度为380-420摄氏度。

6.根据权利要求2所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，其特征在于，S4步骤中成膜剂配比为1-4:2-5:4-8的丙烯酸酯、丙烯腈和丙烯酰胺混合制成，稳定剂配比为2-6:1-7:3-9的钙皂、季戊四醇和亚磷酸盐混合制成。

7.根据权利要求2所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，其特征在于，S5步骤中的干燥温度为180-280摄氏度，干燥处理时间为1.5-3小时。

8.根据权利要求2所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，其特征在于，S6步骤中的退火处理的温度为260-320摄氏度，退火处理的时间为8-10分钟，退火处理的方式为微波烧结，其处理过程中的保护气体为氢气。