[发明专利]发光单元及其制备方法、显示面板、显示设备在审
申请号: | 202110873096.2 | 申请日: | 2021-07-30 |
公开(公告)号: | CN113611808A | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 陈雪芹;陈磊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 张筱宁;宋海斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 单元 及其 制备 方法 显示 面板 设备 | ||
1.一种发光单元,其特征在于,包括:依次叠层的电子阻挡层和发光层;
所述发光层包括主体材料和掺杂材料;
所述主体材料的最高占据轨道能级的绝对值与所述掺杂材料的最高占据轨道能级的绝对值的差值不大于第一设计值,所述电子阻挡层的最高占据轨道能级在第一设计能级范围内;
或者,所述主体材料的最高占据轨道能级的绝对值与所述掺杂材料的最高占据轨道能级的绝对值的差值大于所述第一设计值、且不大于第二设计值,所述电子阻挡层的最高占据轨道能级在第二设计能级范围内,所述电子阻挡层的三线态能级不小于第三设计值,且所述电子阻挡层的材料包括咔唑结构。
2.根据权利要求1所述的发光单元,其特征在于,至少包括以下一项:
所述主体材料的最高占据轨道能级不小于-6.2电子伏特、且不大于-5.6电子伏特;
所述掺杂材料的最高占据轨道能级不小于-5.8电子伏特,并且不大于-5.2电子伏特;
所述第一设计值为0.3电子伏特;
所述第一设计能级范围为不小于-5.5电子伏特、且不大于-5.2电子伏特。
3.根据权利要求1所述的发光单元,其特征在于,至少包括以下一项:
所述主体材料的最高占据轨道能级不小于-6.2电子伏特、且不大于-5.6电子伏特;
所述掺杂材料的最高占据轨道能级不小于-5.8电子伏特,并且不大于-5.2电子伏特;
所述第一设计值为0.3电子伏特;
所述第二设计值为0.8电子伏特;
所述第三设计值为2.5电子伏特;
所述第二设计能级范围为不小于-5.3电子伏特、且不大于-5.7电子伏特。
4.根据权利要求3所述的发光单元,其特征在于,
所述电子阻挡层的三线态能级不大于2.9电子伏特。
5.根据权利要求1所述的发光单元,其特征在于,
所述主体材料与所述掺杂材料的质量比为9:1~119:1。
6.根据权利要求1所述的发光单元,其特征在于,所述咔唑结构的结构通式如下:
其中,R1,R2、R3、Ar1和Ar2均包括氢,碳原子数在2-30的烷基,碳原子数在6-30的芳基和碳原子数在5-30的杂芳基中的一种。
7.一种显示面板,其特征在于,包括:权利要求1-6中任一项所述的发光单元。
8.一种显示装置,其特征在于,包括:权利要求7所述的显示面板。
9.一种发光单元的制备方法,其特征在于,包括:
制备最高占据轨道能级在第一设计能级范围内的电子阻挡层;
在所述电子阻挡层的一侧,同时制备最高占据轨道能级的绝对值的差值不大于第一设计值的主体材料和掺杂材料,得到发光层。
10.一种发光单元的制备方法,其特征在于,包括:
制备最高占据轨道能级在第二设计能级范围内、三线态能级不小于第三设计值、以及包括咔唑结构的电子阻挡层;
在所述电子阻挡层的一侧,同时制备最高占据轨道能级的绝对值的差值不小于所述第一设计值、且不大于第二设计值的主体材料和掺杂材料,得到发光层。
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